MOSFET P-CH 20V 2A SC70-6
参数名称 | 属性值 |
FET 类型 | P 沟道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 20V |
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) | 2A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 2.5V,10V |
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) | 100 毫欧 @ 2A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 1.4V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 6nC @ 4.5V |
Vgs(最大值) | ±12V |
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 620pF @ 10V |
功率耗散(最大值) | 630mW(Ta) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装 |
供应商器件封装 | SC-70-6 |
封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
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