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EM 1C

产品描述DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小332KB,共5页
制造商SANKEN
官网地址http://www.sanken-ele.co.jp/en/
标准
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EM 1C概述

DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL

EM 1C规格参数

参数名称属性值
二极管类型标准
电压 - DC 反向(Vr)(最大值)1000V
电流 - 平均整流(Io)1A
不同 If 时的电压 - 正向(Vf1.05V @ 1A
速度标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流20µA @ 1000V
安装类型通孔
封装/外壳轴向
工作温度 - 结-40°C ~ 150°C

EM 1C相似产品对比

EM 1C EM 1CV EM 1CV0 EM 1CV1
描述 DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL
二极管类型 标准 标准 标准 标准
电压 - DC 反向(Vr)(最大值) 1000V 1000V 1000V 1000V
电流 - 平均整流(Io) 1A 1A 1A 1A
不同 If 时的电压 - 正向(Vf 1.05V @ 1A 1.05V @ 1A 1.05V @ 1A 1.05V @ 1A
速度 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流 20µA @ 1000V 20µA @ 1000V 20µA @ 1000V 20µA @ 1000V
安装类型 通孔 通孔 通孔 通孔
封装/外壳 轴向 轴向 轴向 轴向
工作温度 - 结 -40°C ~ 150°C -40°C ~ 150°C -40°C ~ 150°C -40°C ~ 150°C

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