MOSFET 2N-CH 60V 5.1A 8-SO
| 参数名称 | 属性值 |
| FET 类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源电压（Vdss） | 60V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 5.1A |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 49 毫欧 @ 5.1A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 23nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 620pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 2.5W |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| HUFA76413DK8T | |
|---|---|
| 描述 | MOSFET 2N-CH 60V 5.1A 8-SO |
| FET 类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源电压（Vdss） | 60V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 5.1A |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 49 毫欧 @ 5.1A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 23nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 620pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 2.5W |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
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