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TSS40U RGG

产品描述DIODE SCHOTTKY 40V 200MA 0603
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小222KB,共4页
制造商Taiwan Semiconductor
官网地址http://www.taiwansemi.com/
标准
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TSS40U RGG概述

DIODE SCHOTTKY 40V 200MA 0603

TSS40U RGG规格参数

参数名称属性值
二极管类型肖特基
电压 - DC 反向(Vr)(最大值)40V
电流 - 平均整流(Io)200mA
不同 If 时的电压 - 正向(Vf1V @ 40mA
速度小信号 =< 200mA(Io),任意速度
反向恢复时间(trr)5ns
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流200nA @ 30V
不同 Vr,F 时的电容5pF @ 0V,1MHz
安装类型表面贴装
封装/外壳0201(0603 公制)
供应商器件封装603
工作温度 - 结-65°C ~ 125°C

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TSS40U
Taiwan Semiconductor
Small Signal Product
Surface Mount Schottky Barrier
FEATURES
- Designed for mounting on small surface
- Extremely thin/leadless package
- Low capacitance
- Low forward voltage drop
- Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU and
in accordance to WEEE 2002/96/EC
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21
0603
MECHANICAL DATA
- Case: 0603
- Terminal: Gold plated, solderable per
MIL-STD-750, method 2026
- Polarity: Indicated by cathode band
- Weight: 3 mg (approximately)
- Marking code: BC
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
=25°C unless otherwise noted)
PARAMETER
Repetitive Peak Reverse Voltage
DC Reverse Voltage
RMS Reverse Voltage
Average Forward Current
Peak Forward Surge Current 8.3ms Single Half
Sine-Wave Superimposed on Rate Load
Power Dissipation
Forward Voltage
Reverse Leakage Current
Typical Capacitance Between Terminals
V
R
= 0 V , f = 1.0 MHz Reverse Voltage
Reverse Recovery Time
( I
F
= I
R
= 10mA, I
RR
= 0.1×I
R
, R
L
=100Ω )
Junction Temperature
Storage Temperature
I
F
= 1.0 mA
I
F
= 40 mA
V
R
= 30 V
SYMBOL
V
RRM
V
R
V
R(RMS)
I
O
I
FSM
Pd
V
F
I
R
C
J
t
rr
T
J
T
STG
VALUE
40
40
28
200
600
150
0.38
1.0
0.2
5
5
-65 to +125
-65 to +125
UNIT
V
V
V
mA
mA
mW
V
μA
pF
ns
°C
°C
Version: C1601
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