电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

BZT52B39-G RHG

产品描述DIODE ZENER 39V 410MW SOD123
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小318KB,共6页
制造商Taiwan Semiconductor
官网地址http://www.taiwansemi.com/
标准
下载文档 详细参数 全文预览

BZT52B39-G RHG概述

DIODE ZENER 39V 410MW SOD123

BZT52B39-G RHG规格参数

参数名称属性值
电压 - 齐纳(标称值)(Vz)39V
容差±2%
功率 - 最大值410mW
阻抗(最大值)(Zzt)130 Ohms
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流100nA @ 27.3V
不同 If 时的电压 - 正向(Vf900mV @ 10mA
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装
封装/外壳SOD-123
供应商器件封装SOD-123

推荐资源

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 65  701  708  819  1503 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved