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TSC966CT B0G

产品描述TRANSISTOR, NPN, 400V, 0.3A, 100
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小181KB,共5页
制造商Taiwan Semiconductor
官网地址http://www.taiwansemi.com/
标准
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TSC966CT B0G概述

TRANSISTOR, NPN, 400V, 0.3A, 100

TSC966CT B0G规格参数

参数名称属性值
晶体管类型NPN
电流 - 集电极(Ic)(最大值)300mA
电压 - 集射极击穿(最大值)400V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值)1V @ 5mA,50mA
电流 - 集电极截止(最大值)1µA
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)100 @ 1mA,5V
功率 - 最大值1W
频率 - 跃迁50MHz
工作温度150°C(TJ)
安装类型通孔
封装/外壳TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)
供应商器件封装TO-92

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TSC966
NPN Silicon Planar High Voltage Transistor
TO-92
Pin Definition:
SOT-223
1. Emitter
2. Collector
3. Base
Pin Definition:
1. Base
2. Collector
3. Emitter
PRODUCT SUMMARY
BV
CBO
BV
CEO
I
C
V
CE(SAT)
600V
400V
300mA
0.5V @ I
C
/ I
B
= 50mA / 5mA
Features
High BVceo, BVcbo
High current gain
Ordering Information
Part No.
TSC966CT B0G
TSC966CT A3G
TSC966CW RPG
Package
TO-92
TO-92
SOT-223
Packing
1,000pcs / Bulk
2,000pcs / Ammo
2,500pcs / 13” Reel
Epitaxial Planar Type
Absolute Maximum Rating
(T
A
=25
o
C unless otherwise noted)
Parameter
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
TS
C9
No 66
t R CT
eco B0
mm G ,
A3
en
de G
d
Symbol
V
CBO
V
CES
V
CEO
V
EBO
I
C
o
Structure
Note: “G” denote for Halogen Free Product
Limit
Unit
V
V
V
V
A
W
o
o
Total Power Dissipation @ T
A
=25 C
DC
Pulse
TO-92
SOT-223
P
tot
Operating Junction Temperature
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
J
T
STG
600
600
400
7
0.3
1
0.9
1
+150
- 55 to +150
C
C
Electrical Specifications
(Ta = 25
o
C unless otherwise noted)
Parameter
Conditions
Collector-Base Breakdown Voltage
Collector-Emitter Saturation Voltage
Collector-Emitter Breakdown Voltage
Emitter-Base Breakdown Voltage
Collector-Base Cutoff Current
Collector-Emitter Cutoff Current
Emitter-Base Cutoff Current
Collector-Emitter Saturation Voltage
Base-Emitter Saturation Voltage
DC Current Transfer Ratio
Transition Frequency
Output Capacitance
I
C
= 50uA
I
C
= 100uA, V
BE
= 0
I
C
= 1mA
I
E
= 50uA
V
CB
= 600V
V
CE
= 400V
V
EB
= 7V
I
C
= 50mA, I
B
= 5mA
I
C
= 50mA, I
B
= 5mA
V
CE
= 5V, I
C
= 1mA
V
CE
= 5V, I
C
= 20mA
V
CE
= 10V, I
E
= 20mA
V
CB
= 20V, f=1MHz
Symbol
BV
CBO
BV
CES
BV
CEO
BV
EBO
I
CBO
I
CEO
I
EBO
V
CE(SAT)
V
BE(SAT)
h
FE
1
h
FE
2
f
T
Cob
Min
600
600
400
7
--
--
--
--
--
100
90
50
--
Typ
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
Max
--
--
--
--
0.5
1
1.5
0.5
1
--
300
--
7
Unit
V
V
V
V
uA
uA
uA
V
V
MHz
pF
Document Number: DS_P0000232
1
Version: E15

TSC966CT B0G相似产品对比

TSC966CT B0G TSC966CW RPG TSC966CT A3G
描述 TRANSISTOR, NPN, 400V, 0.3A, 100 TRANSISTOR, NPN, 400V, 0.3A, 100 TRANSISTOR, NPN, 400V, 0.3A, 100
晶体管类型 NPN NPN NPN
电流 - 集电极(Ic)(最大值) 300mA 300mA 300mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 400V 400V 400V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) 1V @ 5mA,50mA 500mV @ 5mA,50mA 1V @ 5mA,50mA
电流 - 集电极截止(最大值) 1µA 1µA 1µA
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 100 @ 1mA,5V 100 @ 1mA,5V 100 @ 1mA,5V
工作温度 150°C(TJ) 150°C(TJ) 150°C(TJ)
安装类型 通孔 表面贴装 通孔
封装/外壳 TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA) TO-261-4,TO-261AA TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线)
供应商器件封装 TO-92 SOT-223 TO-92
功率 - 最大值 1W - 1W
频率 - 跃迁 50MHz - 50MHz

 
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