MOSFET N-CH 24V 70A POWERDI3333
参数名称 | 属性值 |
FET 类型 | N 沟道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 24V |
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) | 70A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 2.5V,10V |
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) | 5 毫欧 @ 12A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 1.45V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 53.7nC @ 10V |
Vgs(最大值) | ±12V |
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 1683pF @ 15V |
功率耗散(最大值) | 2.3W(Ta) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装 |
供应商器件封装 | PowerDI3333-8 |
封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
DMT2004UFG-13 | DMT2004UFG-7 | |
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描述 | MOSFET N-CH 24V 70A POWERDI3333 | MOSFET N-CH 24V 70A POWERDI3333 |
FET 类型 | N 沟道 | N 沟道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 24V | 24V |
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) | 70A(Tc) | 70A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 2.5V,10V | 2.5V,10V |
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) | 5 毫欧 @ 12A,10V | 5 毫欧 @ 12A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 1.45V @ 250µA | 1.45V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 53.7nC @ 10V | 53.7nC @ 10V |
Vgs(最大值) | ±12V | ±12V |
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 1683pF @ 15V | 1683pF @ 15V |
功率耗散(最大值) | 2.3W(Ta) | 2.3W(Ta) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装 | 表面贴装 |
供应商器件封装 | PowerDI3333-8 | PowerDI3333-8 |
封装/外壳 | 8-PowerVDFN | 8-PowerVDFN |
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