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DMT2004UFG-13

产品描述MOSFET N-CH 24V 70A POWERDI3333
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小309KB,共7页
制造商Diodes
官网地址http://www.diodes.com/
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DMT2004UFG-13概述

MOSFET N-CH 24V 70A POWERDI3333

DMT2004UFG-13规格参数

参数名称属性值
FET 类型N 沟道
技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)24V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)70A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)2.5V,10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)5 毫欧 @ 12A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)1.45V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)53.7nC @ 10V
Vgs(最大值)±12V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)1683pF @ 15V
功率耗散(最大值)2.3W(Ta)
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装
供应商器件封装PowerDI3333-8
封装/外壳8-PowerVDFN

DMT2004UFG-13相似产品对比

DMT2004UFG-13 DMT2004UFG-7
描述 MOSFET N-CH 24V 70A POWERDI3333 MOSFET N-CH 24V 70A POWERDI3333
FET 类型 N 沟道 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物) MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 24V 24V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 70A(Tc) 70A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,10V 2.5V,10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 5 毫欧 @ 12A,10V 5 毫欧 @ 12A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.45V @ 250µA 1.45V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 53.7nC @ 10V 53.7nC @ 10V
Vgs(最大值) ±12V ±12V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1683pF @ 15V 1683pF @ 15V
功率耗散(最大值) 2.3W(Ta) 2.3W(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装 表面贴装
供应商器件封装 PowerDI3333-8 PowerDI3333-8
封装/外壳 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN

 
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