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SE30AFD-M3/6B

产品描述DIODE GEN PURP 200V 1.4A DO221AC
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小115KB,共5页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
标准
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SE30AFD-M3/6B概述

DIODE GEN PURP 200V 1.4A DO221AC

SE30AFD-M3/6B规格参数

参数名称属性值
二极管类型标准
电压 - DC 反向(Vr)(最大值)200V
电流 - 平均整流(Io)1.4A(DC)
不同 If 时的电压 - 正向(Vf1.1V @ 3A
速度标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间(trr)1.5µs
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流10µA @ 200V
不同 Vr,F 时的电容19pF @ 4V,1MHz
安装类型表面贴装
封装/外壳DO-221AC,SMA 扁平引线
供应商器件封装DO-221AC
工作温度 - 结-55°C ~ 175°C

SE30AFD-M3/6B相似产品对比

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描述 DIODE GEN PURP 200V 1.4A DO221AC Rectifiers 3 Amp 100 Volts ESD PROTECTION Rectifiers 3.0A, 600V, ESD PROTECTION, SLIM SMA Rectifiers 3.0A, 400V, ESD PROTECTION, SLIM SMA DIODE GEN PURP 100V 1.4A DO221AC DIODE GEN PURP 400V 1.4A DO221AC
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