DIODE ARRAY GP 80V 215MA SMT3
参数名称 | 属性值 |
Brand Name | NXP Semiconductor |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | NXP(恩智浦) |
零件包装代码 | SMT |
包装说明 | R-PDSO-G3 |
针数 | 3 |
制造商包装代码 | SOT346 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
Is Samacsys | N |
配置 | COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS |
二极管元件材料 | SILICON |
二极管类型 | RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF) | 1.2 V |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G3 |
JESD-609代码 | e3 |
最大非重复峰值正向电流 | 4 A |
元件数量 | 2 |
端子数量 | 3 |
最高工作温度 | 150 °C |
最大输出电流 | 0.215 A |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
最大功率耗散 | 0.25 W |
认证状态 | Not Qualified |
最大重复峰值反向电压 | 85 V |
最大反向电流 | 0.5 µA |
最大反向恢复时间 | 0.004 µs |
表面贴装 | YES |
端子面层 | TIN |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 |
Base Number Matches | 1 |
1PS184,115 | 1PS184,135 | |
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描述 | DIODE ARRAY GP 80V 215MA SMT3 | DIODE ARRAY GP 80V 215MA SMT3 |
Brand Name | NXP Semiconductor | NXP Semiconductor |
是否Rohs认证 | 符合 | 符合 |
厂商名称 | NXP(恩智浦) | NXP(恩智浦) |
零件包装代码 | SMT | SMT |
包装说明 | R-PDSO-G3 | R-PDSO-G3 |
针数 | 3 | 3 |
制造商包装代码 | SOT346 | SOT346 |
Reach Compliance Code | unknown | unknown |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
Is Samacsys | N | N |
配置 | COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS | COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS |
二极管元件材料 | SILICON | SILICON |
二极管类型 | RECTIFIER DIODE | RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF) | 1.2 V | 1.2 V |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G3 | R-PDSO-G3 |
JESD-609代码 | e3 | e3 |
最大非重复峰值正向电流 | 4 A | 4 A |
元件数量 | 2 | 2 |
端子数量 | 3 | 3 |
最高工作温度 | 150 °C | 150 °C |
最大输出电流 | 0.215 A | 0.215 A |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 | 260 |
最大功率耗散 | 0.25 W | 0.25 W |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
最大重复峰值反向电压 | 85 V | 85 V |
最大反向电流 | 0.5 µA | 0.5 µA |
最大反向恢复时间 | 0.004 µs | 0.004 µs |
表面贴装 | YES | YES |
端子面层 | TIN | TIN |
端子形式 | GULL WING | GULL WING |
端子位置 | DUAL | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 | 40 |
Base Number Matches | 1 | 1 |
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