FET RF 68V 880MHZ TO-272-2
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | NXP(恩智浦) |
零件包装代码 | TO-272 |
包装说明 | FLANGE MOUNT, R-PDFM-F2 |
针数 | 2 |
制造商包装代码 | CASE 1337-03 |
Reach Compliance Code | not_compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
外壳连接 | SOURCE |
配置 | SINGLE |
最小漏源击穿电压 | 68 V |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
最高频带 | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND |
JEDEC-95代码 | TO-272 |
JESD-30 代码 | R-PDFM-F2 |
JESD-609代码 | e3 |
湿度敏感等级 | 3 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 2 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 227 W |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
端子面层 | Matte Tin (Sn) |
端子形式 | FLAT |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 |
晶体管应用 | AMPLIFIER |
晶体管元件材料 | SILICON |
MRF6S9060NBR1 | MRF6S9060MBR1 | MRF6S9060MR1 | MRF6S9060NR1 | |
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描述 | FET RF 68V 880MHZ TO-272-2 | FET RF 68V 880MHZ TO-272-2 | FET RF 68V 880MHZ TO-270-2 | FET RF 68V 880MHZ TO-270-2 |
是否Rohs认证 | 符合 | 不符合 | 符合 | 符合 |
厂商名称 | NXP(恩智浦) | NXP(恩智浦) | NXP(恩智浦) | NXP(恩智浦) |
零件包装代码 | TO-272 | TO-272 | TO-270 | TO-270 |
包装说明 | FLANGE MOUNT, R-PDFM-F2 | FLANGE MOUNT, R-PDFM-F2 | FLATPACK, R-PDFP-F2 | FLATPACK, R-PDFP-F2 |
针数 | 2 | 2 | 2 | 2 |
制造商包装代码 | CASE 1337-03 | CASE 1337-03 | CASE 1265-08 | CASE 1265-08 |
Reach Compliance Code | not_compliant | not_compliant | not_compliant | not_compliant |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
外壳连接 | SOURCE | SOURCE | SOURCE | SOURCE |
配置 | SINGLE | SINGLE | SINGLE | SINGLE |
最小漏源击穿电压 | 68 V | 68 V | 68 V | 68 V |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
最高频带 | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND |
JEDEC-95代码 | TO-272 | TO-272 | TO-270 | TO-270 |
JESD-30 代码 | R-PDFM-F2 | R-PDFM-F2 | R-PDFP-F2 | R-PDFP-F2 |
湿度敏感等级 | 3 | 3 | 3 | 3 |
元件数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 2 | 2 | 2 | 2 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C | 150 °C | 150 °C | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT | FLATPACK | FLATPACK |
极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 227 W | 227 W | 227 W | 227 W |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
表面贴装 | YES | YES | YES | YES |
端子形式 | FLAT | FLAT | FLAT | FLAT |
端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL | DUAL |
晶体管应用 | AMPLIFIER | AMPLIFIER | AMPLIFIER | AMPLIFIER |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON | SILICON |
JESD-609代码 | e3 | e0 | - | e3 |
端子面层 | Matte Tin (Sn) | Tin/Lead (Sn/Pb) | - | Matte Tin (Sn) |
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