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BLT70,115

产品描述TRANS NPN 8V 250MA SOT223
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小61KB,共11页
制造商NXP(恩智浦)
官网地址https://www.nxp.com
标准
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BLT70,115概述

TRANS NPN 8V 250MA SOT223

BLT70,115规格参数

参数名称属性值
Brand NameNXP Semiconductor
是否Rohs认证符合
厂商名称NXP(恩智浦)
零件包装代码SC-73
包装说明PLASTIC, SC-73, 4 PIN
针数4
制造商包装代码SOT223
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)0.25 A
基于收集器的最大容量3.5 pF
集电极-发射极最大电压8 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)25
最高频带ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码R-PDSO-G4
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量4
最高工作温度175 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型NPN
功耗环境最大值2.1 W
最大功率耗散 (Abs)2.1 W
最小功率增益 (Gp)6 dB
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON

BLT70,115相似产品对比

BLT70,115 BLT70-T
描述 TRANS NPN 8V 250MA SOT223 UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
是否Rohs认证 符合 符合
厂商名称 NXP(恩智浦) NXP(恩智浦)
包装说明 PLASTIC, SC-73, 4 PIN SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Code compliant unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
外壳连接 COLLECTOR COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 0.25 A 0.25 A
基于收集器的最大容量 3.5 pF 3.5 pF
集电极-发射极最大电压 8 V 8 V
配置 SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 25 25
最高频带 ULTRA HIGH FREQUENCY BAND ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码 R-PDSO-G4 R-PDSO-G4
JESD-609代码 e3 e3
元件数量 1 1
端子数量 4 4
最高工作温度 175 °C 175 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260 260
极性/信道类型 NPN NPN
功耗环境最大值 2.1 W 2.1 W
最小功率增益 (Gp) 6 dB 6 dB
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子面层 Tin (Sn) TIN
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 40 40
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON
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