JFET N-CH 30V 6.5MA TO92
| 参数名称 | 属性值 |
| Brand Name | NXP Semiconductor |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | NXP(恩智浦) |
| 零件包装代码 | TO-92 |
| 包装说明 | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 |
| 针数 | 3 |
| 制造商包装代码 | SOT54 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 配置 | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压 | 30 V |
| 最大漏极电流 (ID) | 0.025 A |
| FET 技术 | JUNCTION |
| 最高频带 | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND |
| JEDEC-95代码 | TO-92 |
| JESD-30 代码 | O-PBCY-T3 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 工作模式 | DEPLETION MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | ROUND |
| 封装形式 | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 0.3 W |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO |
| 端子面层 | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| BF245A,112 | BF245B,112 | BF245B,126 | BF245C,112 | BF245A,126 | |
|---|---|---|---|---|---|
| 描述 | JFET N-CH 30V 6.5MA TO92 | JFET N-CH 30V 15MA TO92 | JFET N-CH 30V 15MA TO92 | JFET N-CH 30V 25MA TO92 | JFET N-CH 30V 6.5MA TO92 |
| 厂商名称 | NXP(恩智浦) | NXP(恩智浦) | NXP(恩智浦) | NXP(恩智浦) | NXP(恩智浦) |
| 零件包装代码 | TO-92 | TO-92 | TO-92 | TO-92 | TO-92 |
| 针数 | 3 | 3 | 3 | 3 | 3 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown | unknown | unknown |
| Brand Name | NXP Semiconductor | NXP Semiconductor | NXP Semiconductor | - | NXP Semiconductor |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | 符合 | 符合 | - |
| 包装说明 | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 | PLASTIC, TO-92 VARIANT, 3 PIN | PLASTIC, TO-92 VARIANT, 3 PIN | PLASTIC, TO-92 VARIANT, 3 PIN | - |
| 制造商包装代码 | SOT54 | SOT54 | SOT54 | - | SOT54 |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | - |
| 配置 | SINGLE | SINGLE | SINGLE | SINGLE | - |
| 最小漏源击穿电压 | 30 V | 30 V | 30 V | 30 V | - |
| 最大漏极电流 (ID) | 0.025 A | 0.025 A | 0.025 A | 0.025 A | - |
| FET 技术 | JUNCTION | JUNCTION | JUNCTION | JUNCTION | - |
| 最高频带 | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND | - |
| JEDEC-95代码 | TO-92 | TO-92 | - | TO-92 | - |
| JESD-30 代码 | O-PBCY-T3 | O-PBCY-T3 | O-PBCY-T3 | O-PBCY-T3 | - |
| JESD-609代码 | e3 | e3 | e3 | e3 | - |
| 元件数量 | 1 | 1 | 1 | 1 | - |
| 端子数量 | 3 | 3 | 3 | 3 | - |
| 工作模式 | DEPLETION MODE | DEPLETION MODE | DEPLETION MODE | DEPLETION MODE | - |
| 最高工作温度 | 150 °C | 150 °C | 150 °C | 150 °C | - |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | - |
| 封装形状 | ROUND | ROUND | ROUND | ROUND | - |
| 封装形式 | CYLINDRICAL | CYLINDRICAL | CYLINDRICAL | CYLINDRICAL | - |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL | N-CHANNEL | N-CHANNEL | - |
| 最大功率耗散 (Abs) | 0.3 W | 0.3 W | 0.3 W | 0.3 W | - |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | - |
| 表面贴装 | NO | NO | NO | NO | - |
| 端子面层 | Matte Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) | - |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | - |
| 端子位置 | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM | - |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - |
| 晶体管应用 | AMPLIFIER | AMPLIFIER | AMPLIFIER | AMPLIFIER | - |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON | SILICON | - |
| Source Url Status Check Date | - | - | 2013-06-14 00:00:00 | 2013-06-14 00:00:00 | 2013-06-14 00:00:00 |
51单片机
模拟电子
RF/无线
测试/测量
嵌入式系统
创意市集
电子工程世界版权所有
京B2-20211791
京ICP备10001474号-1
电信业务审批[2006]字第258号函
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
