Infrarot-LED
Infrared-LED
SFH 4281
Wesentliche Merkmale
•
•
•
•
Emissionswellenlänge 880nm
Homogene Abstrahlcharakteristik
IR Reflow und TTW Löten geeignet
Feuchte-Empfindlichkeitsstufe 2 nach JEDEC
Standard J-STD-020A
Features
•
•
•
•
Typical peak wavelength 880nm
Homogeneous Radiation Pattern
Suitable for IR reflow and TTW soldering
Moisture Sensitivity Level 2 according to
JEDEC Standard J-STD-020A
Anwendungen
• Miniaturlichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
• Industrieelektronik
• „Messen/Steuern/Regeln“
• Automobiltechnik
• Sensorik
• Alarm- und Sicherungssysteme
• IR-Freiraumübertragung
Typ
Type
SFH 4281
1)
Applications
•
•
•
•
•
•
•
Miniature photointerrupters
Industrial electronics
For drive and control circuits
Automotive technology
Sensor technology
Alarm and safety equipment
IR free air transmission
Bestellnummer
Ordering Code
Q62702P5000
Strahlstärkegruppierung
1)
(
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms)
Radiant intensity grouping
1)
,
I
e
(mW/sr)
-P
4 ... 8
-Q
6.3 ... 12.5
gemessen bei einem Raumwinkel
Ω
= 0.01 sr / measured at a solid angle of
Ω
= 0.01 sr
2003-03-27
1
SFH 4281
Grenzwerte
(
T
A
= 25
°C)
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Sperrspannung
Reverse voltage
Durchlaßstrom
Forward current
Stoßstrom,
τ =
10
µs,
D
= 0
Surge current
Verlustleistung
Power dissipation
Symbol
Symbol
Wert
Value
– 40
…
+ 100
5
100
2.5
180
450
Einheit
Unit
°C
V
mA
A
mW
K/W
T
op
;
T
stg
V
R
I
F
I
FSM
P
tot
Wärmewiderstand Sperrschicht - Umgebung bei
R
thJA
Montage auf FR4 Platine, Padgröße je 16 mm
2
Thermal resistance junction - ambient mounted
on PC-board (FR4), padsize 16 mm
2
each
Wärmewiderstand Sperrschicht - Lötstelle bei
R
thJC
Montage auf Metall-Block
Thermal resistance junction - soldering point,
mounted on metal block
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Wellenlänge der Strahlung
Wavelength at peak emission
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
Spektrale Bandbreite bei 50% von
I
max
Spectral bandwidth at 50% of
I
max
I
F
= 100 mA
Abstrahlwinkel
Half angle
Aktive Chipfläche
Active chip area
Abmessungen der aktiven Chipfläche
Dimension of the active chip area
Symbol
Symbol
λ
peak
≈
200
K/W
Wert
Value
880
Einheit
Unit
nm
∆λ
80
nm
ϕ
±
60
0.09
0.3
×
0.3
Grad
deg.
mm
2
mm
A
L
×
B
L
×
W
2003-03-27
2
SFH 4281
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C)
Characteristics
(cont’d)
Bezeichnung
Parameter
Schaltzeiten,
I
e
von 10% auf 90% und von 90%
auf 10%, bei
I
F
= 100 mA,
R
L
= 50
Ω
Switching times,
Ι
e
from 10% to 90% and from
90% to 10%,
I
F
= 100 mA,
R
L
= 50
Ω
Kapazität,
Capacitance
V
R
= 0 V,
f
= 1 MHz
Durchlaßspannung,
Forward voltage
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
I
F
= 1 A,
t
p
= 100
µs
Sperrstrom,
Reverse current
V
R
= 5 V
Gesamtstrahlungsfluß,
Total radiant flux
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
Symbol
Symbol
Wert
Value
0.5
Einheit
Unit
µs
t
r
,
t
f
C
o
15
pF
V
F
V
F
I
R
1.5 (≤ 1.8)
3.0 (≤ 3.8)
0.01 (≤ 1)
V
V
µA
Φ
e
23
mW
TC
I
Temperaturkoeffizient von
I
e
bzw.
Φ
e
,
I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of
I
e
or
Φ
e
,
I
F
= 100 mA
Temperaturkoeffizient von
V
F
,
I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of
V
F
,
I
F
= 100 mA
Temperaturkoeffizient von
λ,
I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of
λ,
I
F
= 100 mA
– 0.5
%/K
TC
V
TC
λ
–2
+ 0.25
mV/K
nm/K
2003-03-27
3
SFH 4281
Strahlstärke
I
e
in Achsrichtung
gemessen bei einem Raumwinkel
Ω
= 0.01 sr
Radiant Intensity
I
e
in Axial Direction
at a solid angle of
Ω
= 0.01 sr
Bezeichnung
Parameter
Strahlstärke
Radiant intensity
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
Strahlstärke
Radiant intensity
I
F
= 1 A,
t
p
= 100
µs
Symbol
Werte
Values
-P
I
e min
I
e max
4
8
-Q
6.3
12.5
mW/sr
mW/sr
Einheit
Unit
I
e typ.
50
60
mW/sr
2003-03-27
4
SFH 4281
Relative Spectral Emission
I
rel
=
f
(λ)
100
Ι
rel
%
80
OHR00877
Radiant Intensity
Ι
e
100 mA
Ι
e
=
f
(
I
F
)
Single pulse,
t
p
= 20
µs
10
2
Ι
e (100mA)
10
1
Ι
e
OHR00878
Max. Permissible Forward Current
I
F
=
f
(
T
A
)
120
OHR00883
Ι
F
mA
100
60
10
0
80
R
thjA
= 450 K/W
60
40
10
-1
40
20
10
-2
20
0
750
10
-3
800
850
900
950 nm 1000
λ
10
0
10
1
10
2
10
3
mA 10
4
Ι
F
0
0
20
40
60
80
100 ˚C 120
T
A
Forward Current
I
F
=
f
(
V
F
), single pulse,
t
p
= 20
µs
10
1
OHR00881
Permissible Pulse Handling
Capability
I
F
=
f
(
t
p
),
T
A
= 25
°C
duty cycle
D
= Parameter
10
4
mA
OHR00886
Ι
F
A
Ι
F
10
0
D
= 0.005
0.01
0.02
0.05
10
3
0.1
0.2
10
-1
0.5
10
2
10
-2
DC
t
p
D
=
10
-3
t
p
T
Ι
F
0
1
2
3
4
5
6
V
V
F
8
T
10
1 -5
10 10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
s 10
2
t
p
Radiation Characteristics
S
rel
=
f
(ϕ)
40˚
30˚
20˚
10˚
0˚
OHL01660
ϕ
1.0
50˚
0.8
0.6
60˚
0.4
70˚
0.2
80˚
90˚
100˚
1.0
0.8
0.6
0.4
0˚
20˚
40˚
60˚
80˚
100˚
120˚
0
2003-03-27
5
嵌入式系统
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