MOSFET N-CH 20V 49A DPAK
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | Infineon(英飞凌) |
| 包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| 雪崩能效等级（Eas） | 19 mJ |
| 外壳连接 | DRAIN |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 20 V |
| 最大漏极电流 (ID) | 30 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.011 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码 | TO-252AA |
| JESD-30 代码 | R-PSSO-G2 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 2 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 200 A |
| 表面贴装 | YES |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子位置 | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| IRLR3715Z | IRLR3715ZTR | IRLR3715ZTRL | IRLR3715ZTRR | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 49A DPAK | MOSFET N-CH 20V 49A DPAK | MOSFET N-CH 20V 49A DPAK | MOSFET N-CH 20V 49A DPAK |
| FET 类型 | - | N 沟道 | N 沟道 | N 沟道 |
| 技术 | - | MOSFET（金属氧化物） | MOSFET（金属氧化物） | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | - | 20V | 20V | 20V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | - | 49A（Tc） | 49A（Tc） | 49A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | - | 4.5V，10V | 4.5V，10V | 4.5V，10V |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | - | 11 毫欧 @ 15A，10V | 11 毫欧 @ 15A，10V | 11 毫欧 @ 15A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 2.55V @ 250µA | 2.55V @ 250µA | 2.55V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 11nC @ 4.5V | 11nC @ 4.5V | 11nC @ 4.5V |
| Vgs（最大值） | - | ±20V | ±20V | ±20V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 810pF @ 10V | 810pF @ 10V | 810pF @ 10V |
| 功率耗散（最大值） | - | 40W（Tc） | 40W（Tc） | 40W（Tc） |
| 工作温度 | - | -55°C ~ 175°C（TJ） | -55°C ~ 175°C（TJ） | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | - | 表面贴装 | 表面贴装 | 表面贴装 |
| 供应商器件封装 | - | D-Pak | D-Pak | D-Pak |
| 封装/外壳 | - | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
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