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SPB02N60C3ATMA1

产品描述MOSFET N-CH 650V 1.8A D2PAK
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小439KB,共12页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
标准
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SPB02N60C3ATMA1概述

MOSFET N-CH 650V 1.8A D2PAK

SPB02N60C3ATMA1规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Infineon(英飞凌)
零件包装代码D2PAK
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数4
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time1 week
其他特性AVALANCHE RATED
雪崩能效等级(Eas)50 mJ
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压600 V
最大漏极电流 (ID)1.8 A
最大漏源导通电阻3 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-263AB
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)5.4 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1
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