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M48Z58Y-70PC1-TR

产品描述8KX8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 70ns, PDIP28, 0.600 INCH, ROHS COMPLIANT, CAPHAT, PLASTIC, DIP-28
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文件大小412KB,共24页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
标准  
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M48Z58Y-70PC1-TR概述

8KX8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 70ns, PDIP28, 0.600 INCH, ROHS COMPLIANT, CAPHAT, PLASTIC, DIP-28

M48Z58Y-70PC1-TR规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称ST(意法半导体)
零件包装代码DIP
包装说明DIP,
针数28
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
最长访问时间70 ns
其他特性BATTERY BACK-UP; POWER SUPPLY WRITE PROTECTION
JESD-30 代码R-PDIP-T28
JESD-609代码e3
长度39.625 mm
内存密度65536 bit
内存集成电路类型NON-VOLATILE SRAM MODULE
内存宽度8
功能数量1
端口数量1
端子数量28
字数8192 words
字数代码8000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织8KX8
输出特性3-STATE
可输出YES
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
座面最大高度9.65 mm
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层MATTE TIN
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度15.24 mm
Base Number Matches1

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M48Z58
M48Z58Y
5 V, 64 Kbit (8 Kbit x 8) ZEROPOWER
®
SRAM
Features
Integrated, ultra low power SRAM, power-fail
control circuit, and battery
READ cycle time equals WRITE cycle time
Automatic power-fail chip deselect and WRITE
protection
WRITE protect voltages:
(V
PFD
= power-fail deselect voltage)
– M48Z58: V
CC
= 4.75 to 5.5 V;
4.5 V
V
PFD
4.75 V
– M48Z58Y: V
CC
= 4.5 to 5.5 V;
4.2 V
V
PFD
4.5 V
Self-contained battery in the CAPHAT
DIP
package
Packaging includes a 28-lead SOIC and
SNAPHAT
®
top (to be ordered separately)
SOIC package provides direct connection for a
SNAPHAT
®
top which contains the battery
Pin and function compatible with JEDEC
standard 8 Kbit x 8 SRAMs
RoHS compliant
– Lead-free second level interconnect
28
1
28
1
PCDIP28
battery CAPHAT™
SNAPHAT
®
battery
SOH28
June 2011
Doc ID 2559 Rev 11
1/24
www.st.com
1

M48Z58Y-70PC1-TR相似产品对比

M48Z58Y-70PC1-TR M48Z58-70PC1-TR
描述 8KX8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 70ns, PDIP28, 0.600 INCH, ROHS COMPLIANT, CAPHAT, PLASTIC, DIP-28 8KX8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 70ns, PDIP28, 0.600 INCH, ROHS COMPLIANT, CAPHAT, PLASTIC, DIP-28
是否无铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合
厂商名称 ST(意法半导体) ST(意法半导体)
零件包装代码 DIP DIP
包装说明 DIP, DIP,
针数 28 28
Reach Compliance Code compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
最长访问时间 70 ns 70 ns
其他特性 BATTERY BACK-UP; POWER SUPPLY WRITE PROTECTION BATTERY BACK-UP; POWER SUPPLY WRITE PROTECTION
JESD-30 代码 R-PDIP-T28 R-PDIP-T28
JESD-609代码 e3 e3
长度 39.625 mm 39.625 mm
内存密度 65536 bit 65536 bit
内存集成电路类型 NON-VOLATILE SRAM MODULE NON-VOLATILE SRAM MODULE
内存宽度 8 8
功能数量 1 1
端口数量 1 1
端子数量 28 28
字数 8192 words 8192 words
字数代码 8000 8000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C
组织 8KX8 8KX8
输出特性 3-STATE 3-STATE
可输出 YES YES
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 DIP DIP
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
认证状态 Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 9.65 mm 9.65 mm
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.75 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V
表面贴装 NO NO
技术 CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 MATTE TIN MATTE TIN
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子节距 2.54 mm 2.54 mm
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 15.24 mm 15.24 mm

 
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