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CMPFJ176 TR

产品描述IC JFET P-CH SOT23-3
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小269KB,共3页
制造商Central Semiconductor
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CMPFJ176 TR概述

IC JFET P-CH SOT23-3

CMPFJ176 TR规格参数

参数名称属性值
FET 类型P 沟道
电压 - 击穿(V(BR)GSS)30V
不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss)2mA @ 15V
不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关)1V @ 10nA
电阻 - RDS(开)250 Ohms
功率 - 最大值350mW
工作温度-65°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装SOT-23

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CMPFJ175
CMPFJ176
SURFACE MOUNT SILICON
P-CHANNEL JFETS
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPFJ175 and
CMPFJ176 are epoxy molded P-Channel JFETs
manufactured in an SOT-23 case, designed for low
level amplifier applications.
MARKING CODES: CMPFJ175: 6W
CMPFJ176: 6X
SOT-23 CASE
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C)
Gate-Drain Voltage
Gate-Source Voltage
Gate Current
Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature
Thermal Resistance
SYMBOL
VGD
VGS
IG
PD
TJ, Tstg
Θ
JA
UNITS
V
V
mA
mW
°C
°C/W
30
30
50
350
-65 to +150
357
CMPFJ176
MIN
MAX
-
1.0
2.0
30
1.0
-
25
-
4.0
250
ELECTRICAL CHARACTERISTICS:
(TA=25°C unless otherwise noted)
CMPFJ175
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
MAX
IGSS
VGS=20V
-
1.0
IDSS
VDS=15V
7.0
60
BVGSS
VGS(off)
rDS(ON)
IG=1.0μA
VDS=15V, ID=10nA
VDS=0.1V
30
3.0
-
-
6.0
125
UNITS
nA
mA
V
V
Ω
R3 (7-December 2016)

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