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CMATVS5V0 TR

产品描述TVS DIODE 5V 12.3V SOD923
产品类别电路保护   
文件大小565KB,共5页
制造商Central Semiconductor
标准
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CMATVS5V0 TR概述

TVS DIODE 5V 12.3V SOD923

CMATVS5V0 TR规格参数

参数名称属性值
类型齐纳
单向通道1
电压 - 反向关态(典型值)5V(最大)
电压 - 击穿(最小值)6.2V
电压 - 箝位(最大值)@ Ipp12.3V
电流 - 峰值脉冲(10/1000µs)7A(8/20µs)
功率 - 峰值脉冲80W
电源线路保护
应用通用
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装
封装/外壳SOD-923
供应商器件封装SOD-923

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CMATVS3V3
CMATVS5V0
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
SURFACE MOUNT SILICON
UNI-DIRECTIONAL
TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSORS
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMATVS3V3
Series types are Low Leakage, Fast Response TVSs
packaged in a space saving SOD-923 surface mount
package. These devices are designed to protect
sensitive equipment against ESD damage.
MARKING CODES: CMATVS3V3: E
CMATVS5V0: F
SOD-923 CASE
APPLICATIONS:
• PDAs
• Memory Card Ports
• Mobile Phones
• Instrumentation
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C)
Peak Power Dissipation (8x20μs)
Electrical Fast Transient (IEC 61000-4-4) (5x50ns)
ESD Voltage (IEC 61000-4-2, Air)
ESD Voltage (IEC 61000-4-2, Contact)
Operating and Storage Junction Temperature
FEATURES:
• Small, 1.0 x 0.6 x 0.4mm, SOD-923
Surface Mount Package
• Low Leakage Current
SYMBOL
PPK
EFT
VESD
VESD
TJ, Tstg
80
40
30
30
-55 to +150
UNITS
W
A
kV
kV
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS:
(TA=25°C) VF=0.9V MAX @ IF=10mA (for all types)
Maximum
Reverse
Stand-off
Voltage
VRWM
V
CMATVS3V3
3.3
Minimum
Breakdown
Voltage
VBR @ IT
V
5.0
mA
1.0
Maximum
Reverse
Leakage
Current
IR @ VRWM
μA
Maximum
Clamping
Voltage
(8x20μs)
VC @ IPP
V
A
Typical
TLP Clamping
Voltage
(Note 1)
VCL @ IPP
V
6.0
2.5
11
7.0
3.0
6.0
CMATVS5V0
5.0
6.2
1.0
1.0
12.3
7.0
3.0
Note 1: Transmission Line Pulse (TLP) conditions: Z0=50Ω, tp=100ns
Type
Typical
Typical
Dynamic
Junction
Resistance Capacitance
(Note 1)
@ 0V Bias
RDYN
CJ
Ω
pF
A
11.3
0.5
5.3
11.3
0.5
5.3
45
40
R6 (20-October 2015)

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