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SI2312-TP

产品描述N-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小501KB,共4页
制造商Micro_Commercial_Co
标准
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SI2312-TP在线购买

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SI2312-TP概述

N-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE

SI2312-TP规格参数

参数名称属性值
FET 类型N 沟道
技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)5A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)41 毫欧 @ 4.3A,1.8V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)1V @ 250µA
Vgs(最大值)±8V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)865pF @ 10V
功率耗散(最大值)350mW(Ta)
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装
供应商器件封装SOT-23
封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

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MCC
TM
Micro Commercial Components
  omponents
20736 Marilla Street Chatsworth

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$ %    !"#
SI2312
Features
Halogen
free available upon request by adding suffix "-HF"
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating
Moisture Sensitivity Level 1
TrenchFET Power MOSFET
Load Switch for Portable Devices
Marking Code: S12
N-Channel
Enhancement Mode
Field Effect Transistor
SOT-23
A
Maximum Ratings @ 25
O
C Unless Otherwise Specified
Symbol
V
DS
I
D
I
S
V
GS
P
D
R
θ
JA
T
J
T
STG
Parameter
Drain-source Voltage
Continuous Drain Current
Continuous Source-Drain Diode Current
Gate-source Voltage
Total Power Dissipation
Thermal Resistance Junction to Ambient
Operating Junction Temperature
Storage Temperature
Rating
20
5.0
1.04
±8
0.35
357
-55 to +150
-55 to +150
Unit
V
A
A
V
W
℃/W
D
3
1.GATE
C
B
2. SOURCE
3. DRAIN
1
F
E
2
G
K
H
J
DIMENSIONS
INCHES
MIN
.110
.083
.047
.035
.070
.018
.0005
.035
.003
.015
MM
MIN
2.80
2.10
1.20
.89
1.78
.45
.013
.89
.085
.37
Internal Block Diagram
DIM
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
MAX
.120
.104
.055
.041
.081
.024
.0039
.044
.007
.020
MAX
3.04
2.64
1.40
1.03
2.05
.60
.100
1.12
.180
.51
NOTE
Suggested Solder
Pad Layout
.031
.800
.035
.900
.079
2.000
inches
mm
.037
.950
.037
.950
www.mccsemi.com
Revision:
A
1
of
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