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SI2303-TP

产品描述P-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小386KB,共5页
制造商Micro_Commercial_Co
标准
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SI2303-TP在线购买

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SI2303-TP概述

P-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE

SI2303-TP规格参数

参数名称属性值
FET 类型P 沟道
技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)3A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)180 毫欧 @ 2A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)10nC @ 10V
Vgs(最大值)±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)226pF @ 100V
功率耗散(最大值)250mW(Ta)
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装
供应商器件封装SOT-23
封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

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MCC
Micro Commercial Components
TM
  omponents
20736 Marilla Street Chatsworth

  !"#
$ %    !"#
SI2303
Features
Maximum Ratings @ 25
O
C Unless Otherwise Specified
Symbol
V
DS
I
D
I
DM
V
GS
P
D
R
©
JA
T
J
T
STG
Parameter
Drain-source Voltage
Drain Current-Continuous
Drain Current-Pulsed
a
Gate-source Voltage
Total Power Dissipation
Thermal Resistance Junction to Ambient
b
Operating Junction Temperature
Storage Temperature
Rating
-30
-3
-10
f20
0.25
5
00
-55 to +150
-55 to +150
Unit
V
A
A
V
W
/W
Halogen
free available upon request by adding suffix "-HF"
-30V,-2.6A,
R
DS(ON)
=130m¡@V
GS
= -10V
-30V,-2.0A,
R
DS(ON)
=180m¡@V
GS
= -4.5V
High dense cell design for extremely low R
DS(ON)
Rugged and reliable
Lead free product is acquired
SOT-23 Package
Marking Code: S3
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating
Moisture Sensitivity Level 1
P-Channel
Enhancement Mode
Field Effect Transistor
SOT-23
A
D
3
1.GATE
2. SOURCE
C
B
3. DRAIN
1
F
E
2
G
H
J
K
DIMENSIONS
Internal Block Diagram
D
DIM
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
INCHES
MIN
.110
.083
.047
.035
.070
.018
.0005
.035
.003
.015
MAX
.120
.104
.055
.041
.081
.024
.0039
.044
.007
.020
MM
MIN
2.80
2.10
1.20
.89
1.78
.45
.013
.89
.085
.37
MAX
3.04
2.64
1.40
1.03
2.05
.60
.100
1.12
.180
.51
NOTE
Suggested Solder
Pad Layout
G
.031
.800
.035
.900
.079
2.000
S
inches
mm
.037
.950
.037
.950
Revision:
B
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