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1N4006

产品描述1 A, 800 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小92KB,共3页
制造商Diodes
官网地址http://www.diodes.com/
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1N4006概述

1 A, 800 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41

1 A, 800 V, 硅, 信号二极管, DO-41

1N4006规格参数

参数名称属性值
端子数量2
元件数量1
加工封装描述ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DO-204AL, 2 PIN
状态ACTIVE
包装形状ROUND
包装尺寸LONG FORM
端子形式WIRE
端子涂层NOT SPECIFIED
端子位置AXIAL
包装材料PLASTIC/EPOXY
结构SINGLE
壳体连接ISOLATED
二极管元件材料SILICON
二极管类型SIGNAL DIODE
最大重复峰值反向电压800 V
最大平均正向电流1 A

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NOT RECOMMENDED FOR NEW DESIGN
USE S1A-S1M series
1N4001 - 1N4007
1.0A RECTIFIER
Features
Diffused Junction
High Current Capability and Low Forward Voltage Drop
Surge Overload Rating to 30A Peak
Low Reverse Leakage Current
Lead Free Finish, RoHS Compliant (Note 3)
Mechanical Data
Case: DO-41
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability Classification
Rating 94V-0
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020D
Terminals: Finish - Bright Tin. Plated Leads Solderable per
MIL-STD-202, Method 208
Polarity: Cathode Band
Ordering Information: See Page 2
Marking: Type Number
Weight: 0.30 grams (Approximate)
Dim
DO-41 Plastic
Min
Max
A
25.40
B
4.06
5.21
C
0.71
0.864
D
2.00
2.72
All Dimensions in mm
Maximum Ratings and Electrical Characteristics
(@T
A
= +25°C unless otherwise specified.)
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
Characteristic
Symbol
V
RRM
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
V
RWM
DC Blocking Voltage
V
R
RMS Reverse Voltage
V
R(RMS)
Average Rectified Output Current (Note 1) @ T
A
=+75C
I
O
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current 8.3ms
I
FSM
Single Half Sine-Wave Superimposed on Rated Load
Forward Voltage @ I
F
= 1.0A
V
FM
Peak Reverse Current @T
A
= +25C
I
RM
at Rated DC Blocking Voltage @ T
A
= +100C
Typical Junction Capacitance (Note 2)
C
j
Typical Thermal Resistance Junction to Ambient
R
JA
Maximum DC Blocking Voltage Temperature
T
A
Operating and Storage Temperature Range
T
J
,
T
STG
Notes:
1N4001 1N4002 1N4003 1N4004 1N4005 1N4006 1N4007
50
35
100
70
200
140
400
280
1.0
30
1.0
5.0
50
15
100
+150
-65 to +150
8
600
420
800
560
1000
700
Unit
V
V
A
A
V
A
pF
K/W
C
C
1. Leads maintained at ambient temperature at a distance of 9.5mm from the case.
2. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.
3. EU Directive 2002/95/EC (RoHS). All applicable RoHS exemptions applied, see EU Directive 2002/95/EC Annex Notes.
1N4001-1N4007
Document number: DS28002 Rev. 9 - 3
1 of 3
www.diodes.com
September 2014
© Diodes Incorporated
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