M463L1624BT0-LB0概述

DDR DRAM Module, 16MX64, 0.75ns, CMOS, DIMM-172

M463L1624BT0-LB0规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	SAMSUNG(三星)
零件包装代码	DIMM
包装说明	DIMM, DIMM172,20
针数	172
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
Is Samacsys	N
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.75 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	133 MHz
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-XDMA-N172
内存密度	1073741824 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM MODULE
内存宽度	64
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	172
字数	16777216 words
字数代码	16000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	16MX64
输出特性	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM
封装等效代码	DIMM172,20
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源	2.5 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	8192
自我刷新	YES
最大压摆率	1.2 mA
最大供电电压 (Vsup)	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD
端子节距	0.5 mm
端子位置	DUAL
Base Number Matches	1

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M463L1624BT0

172pin DDR Micro DIMM

128MB DDR SDRAM MODULE

(16Mx64 based on 16Mx16 DDR SDRAM)

172pin Micro DIMM

64-bit Non-ECC/Parity

Revision 0.3

July. 2001

Rev. 0.3 July. 2001

M463L1624BT0-LB0相似产品对比

	M463L1624BT0-LB0	M463L1624BT0-CB0	M463L1624BT0-LA2	M463L1624BT0-CA2	M463L1624BT0-LA0	M463L1624BT0-CA0
描述	DDR DRAM Module, 16MX64, 0.75ns, CMOS, DIMM-172	DDR DRAM Module, 16MX64, 0.75ns, CMOS, DIMM-172	DDR DRAM Module, 16MX64, 0.75ns, CMOS, DIMM-172	DDR DRAM Module, 16MX64, 0.75ns, CMOS, DIMM-172	DDR DRAM Module, 16MX64, 0.8ns, CMOS, DIMM-172	DDR DRAM Module, 16MX64, 0.8ns, CMOS, DIMM-172
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)
零件包装代码	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM
包装说明	DIMM, DIMM172,20	DIMM, DIMM172,20	DIMM, DIMM172,20	DIMM, DIMM172,20	DIMM, DIMM172,20	DIMM, DIMM172,20
针数	172	172	172	172	172	172
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.75 ns	0.75 ns	0.75 ns	0.75 ns	0.8 ns	0.8 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	133 MHz	133 MHz	133 MHz	133 MHz	100 MHz	100 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-XDMA-N172	R-XDMA-N172	R-XDMA-N172	R-XDMA-N172	R-XDMA-N172	R-XDMA-N172
内存密度	1073741824 bit	1073741824 bit	1073741824 bit	1073741824 bit	1073741824 bit	1073741824 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE
内存宽度	64	64	64	64	64	64
功能数量	1	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1	1
端子数量	172	172	172	172	172	172
字数	16777216 words	16777216 words	16777216 words	16777216 words	16777216 words	16777216 words
字数代码	16000000	16000000	16000000	16000000	16000000	16000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	16MX64	16MX64	16MX64	16MX64	16MX64	16MX64
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM
封装等效代码	DIMM172,20	DIMM172,20	DIMM172,20	DIMM172,20	DIMM172,20	DIMM172,20
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	8192	8192	8192	8192	8192	8192
自我刷新	YES	YES	YES	YES	YES	YES
最大压摆率	1.2 mA	1.2 mA	1.2 mA	1.2 mA	1.04 mA	1.04 mA
最大供电电压 (Vsup)	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)	2.3 V	2.3 V	2.3 V	2.3 V	2.3 V	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD
端子节距	0.5 mm	0.5 mm	0.5 mm	0.5 mm	0.5 mm	0.5 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL

M463L1624BT0-LB0

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