电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

1N4755A

产品描述43 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小49KB,共5页
制造商Fairchild
官网地址http://www.fairchildsemi.com/
标准
下载文档 详细参数 全文预览

1N4755A在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
1N4755A - - 点击查看 点击购买

1N4755A概述

43 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE

1N4755A规格参数

参数名称属性值
Brand NameFairchild Semiconduc
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Fairchild
零件包装代码DO-41
包装说明O-LALF-W2
针数2
制造商包装代码AXIAL LEADED; GLASS; JEDEC DO204; VARIATION AL
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型ZENER DIODE
最大动态阻抗70 Ω
JEDEC-95代码DO-41
JESD-30 代码O-LALF-W2
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量2
最高工作温度200 °C
最低工作温度-65 °C
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散1 W
认证状态Not Qualified
标称参考电压43 V
表面贴装NO
技术ZENER
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
最大电压容差5%
工作测试电流6 mA

文档预览

下载PDF文档
1N4728A - 1N4764A Zeners
January 2005
1N4728A - 1N4764A
Zeners
DO-41 Glass case
COLOR BAND DENOTES CATHODE
Absolute Maximum Ratings *
Symbol
P
D
T
a
= 25°C unless otherwise noted
Parameter
Power Dissipation
@ TL
50°C, Lead Length = 3/8”
Derate above 50°C
Value
1.0
6.67
-65 to +200
Units
W
mW/°C
°C
T
J
, T
STG
Operating and Storage Temperature Range
* These ratings are limiting values above which the serviceability of the diode may be impaired.
Electrical Characteristics
Device
1N4728A
1N4729A
1N4730A
1N4731A
1N4732A
1N4733A
1N4734A
1N4735A
1N4736A
1N4737A
1N4738A
1N4739A
1N4740A
1N4741A
1N4742A
1N4743A
1N4744A
1N4745A
1N4746A
1N4747A
T
a
= 25°C unless otherwise noted
V
Z
(V) @ I
Z
(Note 1)
Min.
3.315
3.42
3.705
4.085
4.465
4.845
5.32
5.89
6.46
7.125
7.79
8.645
9.5
10.45
11.4
12.35
14.25
15.2
17.1
19
Typ.
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
Max.
3.465
3.78
4.095
4.515
4.935
5.355
5.88
6.51
7.14
7.875
8.61
9.555
10.5
11.55
12.6
13.65
15.75
16.8
18.9
21
Test Current
I
Z
(mA)
76
69
64
58
53
49
45
41
37
34
31
28
25
23
21
19
17
15.5
14
12.5
Max. Zener Impedance
Z
Z
@ I
Z
(Ω)
10
10
9
9
8
7
5
2
3.5
4
4.5
5
7
8
9
10
14
16
20
22
Leakage Current
I
R
(µA)
100
100
50
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
5
5
5
5
5
5
5
Z
ZK
@
I
ZK
(Ω)
400
400
400
400
500
550
600
700
700
700
700
700
700
700
700
700
700
700
750
750
I
ZK
(mA)
1
1
1
1
1
1
1
1
1
0.5
0.5
0.5
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
V
R
(V)
1
1
1
1
1
1
2
3
4
5
6
7
7.6
8.4
9.1
9.9
11.4
12.2
13.7
15.2
©2005 Fairchild Semiconductor Corporation
1
www.fairchildsemi.com
1N4728A - 1N4764A Rev. G2
华清远见招聘嵌入式linux讲师
高薪诚聘嵌入式人才(北京、上海、深圳、成都、南京、武汉、西安) 北京华清远见科技信息有限公司(以下简称华清远见)是中国领先的嵌入式技术服务机构,公司于2004年注册于中国北京海淀高科技 ......
qianrushi2011 求职招聘
MSP430FR2633可以外接7.3728MHz的晶振吗?
为了产生准确的115200波特率。怎么配置?我看例程里都是接低频晶振的,要不就是16M的DCO频率,精度也不高也不能整除...
huyuezhan 微控制器 MCU
PCB通用测试的关键技术分析
  一、引言  前随着使用大规模集成电路的产品不断出现,相应的PCB的安装和测试工作已越来越重要。印制电路板的通用测试是PCB行业传统的测试技术、  最早的通用电性测试技术可追溯至七十年 ......
51chaoban PCB设计
STM32+W25Q64 读写外部flash失败
用emwin做了几个界面,在外部flash中存了几个参数 //初始化SPI FLASH的IO口 void W25QXX_Init(void) { SPI_FLASH_TYPE=SPI_Flash_ReadID();//读取FLASH ID. SPI_FLASH_TYPE=SPI_Fla ......
linlinlinxf stm32/stm8
正弦波振荡器 实验
正弦波振荡器实验 一、实验目的: 1.掌握三端式振荡电路的基本原理,起振条件,振荡电路设计及电路参数计算。 2.通过实验掌握晶体管静态工作点、反馈系数大小、负载变化对起振和振荡幅度的影 ......
dtcxn 电子竞赛
高速MOSFET驱动分析(英文)
上一个纯英文的资料吧 讲的很细 ,一般4级水平的都能看懂,不难。关键是分析的到位...
sjl2001 模拟电子

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 1147  251  495  2897  1265  37  32  33  16  25 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved