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1N4756AG

产品描述3.3 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-41
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小28KB,共2页
制造商EIC [EIC discrete Semiconductors]
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1N4756AG概述

3.3 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-41

1N4756AG规格参数

参数名称属性值
零件包装代码DO-41
包装说明O-LALF-W2
针数2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型ZENER DIODE
JEDEC-95代码DO-204AL
JESD-30 代码O-LALF-W2
元件数量1
端子数量2
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散1 W
认证状态Not Qualified
标称参考电压47 V
表面贴装NO
技术ZENER
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
最大电压容差5%
工作测试电流5.5 mA
Base Number Matches1

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1N4728AG ~ 1N4764AG
V
Z
:
3.3 to 100V
P
D
:
1.0 Watt
FEATURES :
• Silicon planar power zener diodes.
• For use in stabilizing and clipping circuits with high
power rating.
• Standard zener voltage tolerance is
±
5%
• Other tolerances are available upon request.
• Pb / RoHS Free
ZENER DIODES
DO-41 Glass
(DO-204AL)
0.102(2.6 )max.
1.00 (25.4)
min.
Cathode
Mark
0.161 (4.1)
max.
0.034 (0.86)max.
1.00 (25.4)
min.
MECHANICAL DATA :
Case:
DO-41 Glass Case
Weight:
approx. 0.35g
Dimensions in inches and ( millimeters )
Rating at 25
°
C ambient temperature unless otherwise specified.
Maximum Ratings and Thermal Characteristics
Parameter
Zener Current see Table "Characteristics"
Maximum Forward Voltage at I
F
= 200 mA.
Power Dissipation
Thermal Resistance Junction to Ambient Air
Junction temperature
Storage temperature range
V
F
P
D
R
θ
JA
T
J
T
S
1.2
1.0
(1)
100
(1)
Symbol
Value
Unit
V
W
K/W
°C
°C
175
-55 to + 175
Note:
(1) Valid provided that leads at a distance of 3/8” from case are kept at ambient temperature.
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