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1N5235B-T

产品描述6.8 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小61KB,共3页
制造商Diodes
官网地址http://www.diodes.com/
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1N5235B-T概述

6.8 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35

6.8 V, 0.5 W, 硅, 单向电压稳压二极管, DO-35

1N5235B-T规格参数

参数名称属性值
端子数量2
元件数量1
额定工作电压6.8 V
加工封装描述ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, 玻璃 PACKAGE-2
欧盟RoHS规范Yes
状态ACTIVE
包装形状
包装尺寸LONG FORM
端子形式线
端子涂层锡 银
端子位置AXIAL
包装材料玻璃
工艺ZENER
结构单一的
壳体连接隔离
二极管元件材料
最大功耗极限0.5000 W
极性单向
二极管类型稳压二极管
工作测试电流20 mA
最大总参考电压5 %

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NOT RECOMMENDED FOR
NEW DESIGN, USE
MMSZ52xxB
1N5221B - 1N5267B
500mW EPITAXIAL ZENER DIODE
Features
500mW Power Dissipation
High Stability
Surface Mount Equivalents Available
Hermetic Package
V
Z
- Tolerance ±5%
Lead Free Finish, RoHS Compliant (Note 2)
Mechanical Data
Case: DO-35
Case Material: Glass
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020C
Leads: Solderable per MIL-STD-202, Method 208
Terminals: Finish - Sn96.5Ag3.5. Solderable per
MIL-STD-202, Method 208
Polarity: Cathode Band
Marking: Type Number
Weight: 0.13 grams (approximate)
Dim
A
B
C
D
DO-35
Min
25.40
Max
4.00
0.60
2.00
All Dimensions in mm
Maximum Ratings and Electrical Characteristics
Characteristic
Power Dissipation (Note 1)
Thermal Resistance, Junction to Ambient Air (Note 1)
Forward Voltage
@ I
F
= 200mA
Operating and Storage Temperature Range
Notes:
@T
A
= 25°C unless otherwise specified
Value
500
300
1.1
-65 to +200
Unit
mW
°C/W
V
°C
Symbol
P
d
R
θ
JA
V
F
T
j,
T
STG
1. Valid provided that leads are kept at TL
≤75°C
with lead length = 9.5mm (3/8”) from case; derate above 75°C.
2. EC Directive 2002/95/EC (RοHS) revision 13.2.2003. Glass and high temperature solder exemptions applied where applicable,
see
EU Directive Annex Notes 5 and 7.
DS18006 Rev. 16 - 3
1 of 3
www.diodes.com
1N5221B - 1N5267B
© Diodes Incorporated
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