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IPD90N04S3H4ATMA1

产品描述MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小159KB,共9页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
标准
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IPD90N04S3H4ATMA1在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
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IPD90N04S3H4ATMA1概述

MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3

IPD90N04S3H4ATMA1规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Infineon(英飞凌)
包装说明GREEN, PLASTIC PACKAGE-3/2
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time12 weeks
雪崩能效等级(Eas)330 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压40 V
最大漏极电流 (ID)90 A
最大漏源导通电阻0.0043 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-252
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)360 A
参考标准AEC-Q101
表面贴装YES
端子面层Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON
免费:传感器原来及检测技术
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