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1N6302A

产品描述UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小133KB,共7页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
标准
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1N6302A概述

UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE

1N6302A规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称ON Semiconductor(安森美)
包装说明O-PALF-W2
针数2
制造商包装代码CASE 41A-04
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
其他特性EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY, UL RECOGNIZED, HIGH RELIABILITY, LOW IMPEDANCE
最大击穿电压189 V
最小击穿电压171 V
击穿电压标称值180 V
外壳连接ISOLATED
最大钳位电压246 V
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码O-PALF-W2
JESD-609代码e3
最大非重复峰值反向功率耗散1500 W
元件数量1
端子数量2
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散5 W
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压154 V
表面贴装NO
技术ZENER
端子面层Tin (Sn)
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1
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