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1N976B

产品描述43 V, 0.4 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小29KB,共2页
制造商EIC [EIC discrete Semiconductors]
标准
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1N976B概述

43 V, 0.4 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35

1N976B规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称EIC [EIC discrete Semiconductors]
包装说明DO-35, 2 PIN
Reach Compliance Codecompli
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型ZENER DIODE
最大动态阻抗93 Ω
最大正向电压 (VF)1.5 V
JEDEC-95代码DO-204AH
JESD-30 代码O-LALF-W2
膝阻抗最大值1500 Ω
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散0.5 W
标称参考电压43 V
最大反向电流5 µA
反向测试电压32.7 V
表面贴装NO
技术ZENER
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
最大电压容差5%
工作测试电流3 mA

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1N957B - 1N984B
V
Z
:
6.8 to 91V
P
D
:
500mW
FEATURES :
• Silicon planar power zener diodes.
• Standard Zener voltage tolerance is
±
5%
• Other tolerances are available upon request.
• Pb / RoHS Free
ZENER DIODES
DO - 35 Glass
(DO-204AH)
0.079(2.0 )max.
1.00 (25.4)
min.
Cathode
Mark
0.150 (3.8)
max.
MECHANICAL DATA :
Case:
DO-35 Glass Case
Weight:
approx. 0.13g
0.020 (0.52)max.
1.00 (25.4)
min.
Dimensions in inches and ( millimeters )
Rating at 25
°
C ambient temperature unless otherwise specified.
Maximum Ratings and Thermal Characteristics
Parameter
Zener Current see Table "Characteristics"
Maximum Forward Voltage at I
F
= 200 mA.
Power Dissipation at T
L
= 25°C
Thermal Resistance Junction to Ambient Air
Junction temperature
Storage temperature range
V
F
P
D
R
θ
JA
T
J
T
S
1.5
500
(1)
300
(1)
Symbol
Value
Unit
V
mW
°C/W
°C
°C
175
-65 to + 150
Notes:
(1) Valid provided that leads at a distance of 3/8” from case are kept at ambient temperature.
Page 1 of 2
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