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RJK6020DPK-00#T0

产品描述MOSFET N-CH 600V 32A TO3P
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小99KB,共9页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
标准
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RJK6020DPK-00#T0概述

MOSFET N-CH 600V 32A TO3P

RJK6020DPK-00#T0规格参数

参数名称属性值
FET 类型N 沟道
技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)600V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)32A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)175 毫欧 @ 16A,10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)121nC @ 10V
Vgs(最大值)±30V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)5150pF @ 25V
功率耗散(最大值)200W(Tc)
工作温度150°C(TJ)
安装类型通孔
供应商器件封装TO-3P
封装/外壳TO-3P-3,SC-65-3
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