K6F2016U4E-EF55,K6F2016U4E-EF55 pdf中文资料,K6F2016U4E-EF55引脚图,K6F2016U4E-EF55电路-Datasheet-电子工程世界

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K6F2016U4E-EF55: 产品描述Standard SRAM, 128KX16, 55ns, CMOS, PBGA48, 6 X 7 MM, 0.75 MM PITCH, TBGA-48; 产品类别存储; 文件大小158KB，共9页; 制造商SAMSUNG(三星); 官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/

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K6F2016U4E-EF55概述

Standard SRAM, 128KX16, 55ns, CMOS, PBGA48, 6 X 7 MM, 0.75 MM PITCH, TBGA-48

K6F2016U4E-EF55规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	SAMSUNG(三星)
零件包装代码	BGA
包装说明	VFBGA, BGA48,6X8,30
针数	48
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	3A991.B.2.A
Is Samacsys	N
最长访问时间	55 ns
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PBGA-B48
JESD-609代码	e0
长度	7 mm
内存密度	2097152 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	16
功能数量	1
端子数量	48
字数	131072 words
字数代码	128000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	128KX16
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	VFBGA
封装等效代码	BGA48,6X8,30
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	3 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1 mm
最大待机电流	0.000002 A
最小待机电流	1.5 V
最大压摆率	0.021 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.3 V
最小供电电压 (Vsup)	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)	3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	BALL
端子节距	0.75 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	6 mm
Base Number Matches	1

K6F2016U4E-EF55相似产品对比

	K6F2016U4E-EF55	K6F2016U4E-EF70
描述	Standard SRAM, 128KX16, 55ns, CMOS, PBGA48, 6 X 7 MM, 0.75 MM PITCH, TBGA-48	Standard SRAM, 128KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, 6 X 7 MM, 0.75 MM PITCH, TBGA-48
是否Rohs认证	不符合	不符合
厂商名称	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)
零件包装代码	BGA	BGA
包装说明	VFBGA, BGA48,6X8,30	VFBGA, BGA48,6X8,30
针数	48	48
Reach Compliance Code	unknown	compliant
ECCN代码	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A
最长访问时间	55 ns	70 ns
I/O 类型	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-PBGA-B48	R-PBGA-B48
JESD-609代码	e0	e0
长度	7 mm	7 mm
内存密度	2097152 bit	2097152 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM
内存宽度	16	16
功能数量	1	1
端子数量	48	48
字数	131072 words	131072 words
字数代码	128000	128000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	85 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C
组织	128KX16	128KX16
输出特性	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	VFBGA	VFBGA
封装等效代码	BGA48,6X8,30	BGA48,6X8,30
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
电源	3 V	3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1 mm	1 mm
最大待机电流	0.000002 A	0.000002 A
最小待机电流	1.5 V	1.5 V
最大压摆率	0.021 mA	0.017 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V
最小供电电压 (Vsup)	2.7 V	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)	3 V	3 V
表面贴装	YES	YES
技术	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	BALL	BALL
端子节距	0.75 mm	0.75 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
宽度	6 mm	6 mm

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