MOSFET N-CH 60V 6.5A TO251A
| 参数名称 | 属性值 |
| FET 类型 | N 沟道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 6.5A（Ta），30A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 24 毫欧 @ 20A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2.8V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 34nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1900pF @ 30V |
| 功率耗散（最大值） | 2.5W（Ta），52W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-251A |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短截引线，IPak |
| AOI4130 | |
|---|---|
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 6.5A TO251A |
| FET 类型 | N 沟道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 6.5A（Ta），30A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 24 毫欧 @ 20A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2.8V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 34nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1900pF @ 30V |
| 功率耗散（最大值） | 2.5W（Ta），52W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-251A |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短截引线，IPak |
淘e淘
51单片机
模拟与混合信号
微控制器 MCU
单片机
传感器
电子工程世界版权所有
京B2-20211791
京ICP备10001474号-1
电信业务审批[2006]字第258号函
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
