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JAN1N7039CCU1

产品描述RECTIFIER
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小395KB,共5页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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JAN1N7039CCU1概述

RECTIFIER

JAN1N7039CCU1规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Microsemi
Reach Compliance Codecompliant
其他特性HIGH RELIABILITY
应用FAST RECOVERY POWER
外壳连接CATHODE
配置COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.6 V
JESD-30 代码R-CBCC-N3
最大非重复峰值正向电流200 A
元件数量2
相数1
端子数量3
最高工作温度150 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流17.5 A
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状RECTANGULAR
封装形式CHIP CARRIER
认证状态Qualified
参考标准MIL-19500
最大重复峰值反向电压150 V
最大反向电流500 µA
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子形式NO LEAD
端子位置BOTTOM

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1N7039CCU1
Silicon Dual Schottky Power Rectifier
35 Amp, 150 Volt
Qualified per MIL-PRF-19500/737
DESCRIPTION
This Dual Schottky rectifier device is military qualified up to a JANTXV level for high-reliability
applications. They are hermetically sealed in a common cathode configuration offering very
fast switching characteristics compared to fast or ultrafast rectifiers.
Qualified Levels:
JAN, JANTX, and
JANTXV
Available on
commercial
versions
Important:
For the latest information, visit our website
http://www.microsemi.com.
FEATURES
JEDEC registered equivalent of 1N7039
Hermetically isolated U1 package
Internal metallurgical bonds
Temperature independent switching behavior
JAN, JANTX, and JANTXV qualifications are available per MIL-PRF-19500/737
RoHS compliant versions available (commercial grade only)
U1 (SMD-1)
Package
Also available in:
TO-257AA package
(leaded)
1N7047CCT3
APPLICATIONS / BENEFITS
Schottky barrier rectifier diodes (dual) for military, space and other high reliability applications
Switching power supplies or other applications requiring extremely fast switching and essentially no
switching losses.
Low forward voltage drop
High forward surge capability
Inherently radiation hard >100 krads as described in
MicroNote 050
TO-254AA package
(leaded)
1N7039CCT1
MAXIMUM RATINGS
@ T
A
= +25
o
C unless otherwise noted.
Parameters/Test Conditions
Junction and Storage Temperature
Thermal Resistance Junction-to-Case
(2.3
o
C/W maximum)
Symbol
T
J
and T
STG
R
ӨJC
V
RWM
C
J
I
O
I
FSM
Value
-65 to +150
1.67
150
350
35
200
Unit
o
C
C/W
V
pF
A
A
o
Working Peak Reverse Voltage
Junction Capacitance
o
Average DC Output Current @ T
C
= +100 C
Non-Repetitive Sinusoidal Surge Current @ t
p
= 8.3 ms,
o
T
C
= +25 C
MSC – Lawrence
6 Lake Street,
Lawrence, MA 01841
Tel: 1-800-446-1158 or
(978) 620-2600
Fax: (978) 689-0803
MSC – Ireland
Gort Road Business Park,
Ennis, Co. Clare, Ireland
Tel: +353 (0) 65 6840044
Fax: +353 (0) 65 6822298
Website:
www.microsemi.com
T4-LDS-0321-1, Rev. 1 (10/23/13)
©2013 Microsemi Corporation
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JAN1N7039CCU1相似产品对比

JAN1N7039CCU1 JANTXV1N7039CCU1 JANTX1N7039CCU1 1N7039CCU1E3
描述 RECTIFIER SCHOTTKY DIODE SCHOTTKY DIODE Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 17.5A, 150V V(RRM), Silicon,
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 符合
厂商名称 Microsemi Microsemi Microsemi Microsemi
Reach Compliance Code compliant unknown unknown compliant
其他特性 HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY, LOW POWER LOSS HIGH RELIABILITY, LOW POWER LOSS HIGH RELIABILITY
应用 FAST RECOVERY POWER EFFICIENCY EFFICIENCY FAST RECOVERY POWER
外壳连接 CATHODE ISOLATED ISOLATED CATHODE
配置 COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码 R-CBCC-N3 R-CBCC-N3 R-CBCC-N3 R-CBCC-N3
最大非重复峰值正向电流 200 A 200 A 200 A 200 A
元件数量 2 2 2 2
相数 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 CHIP CARRIER CHIP CARRIER CHIP CARRIER CHIP CARRIER
最大重复峰值反向电压 150 V 150 V 150 V 150 V
表面贴装 YES YES YES YES
技术 SCHOTTKY SCHOTTKY SCHOTTKY SCHOTTKY
端子形式 NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
认证状态 Qualified Qualified Qualified -
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