MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC
参数名称 | 属性值 |
FET 类型 | 2 个 N 沟道(双) |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源电压(Vdss) | 20V |
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) | 10A,12A |
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) | 13.4 毫欧 @ 10A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 2.55V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 11nC @ 4.5V |
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 900pF @ 10V |
功率 - 最大值 | 2W |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商器件封装 | 8-SO |
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