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SI7368DP-T1-E3

产品描述MOSFET N-CH 20V 13A PPAK SO-8
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小85KB,共6页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
标准
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SI7368DP-T1-E3概述

MOSFET N-CH 20V 13A PPAK SO-8

SI7368DP-T1-E3规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Vishay(威世)
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
配置Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)13 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
最高工作温度150 °C
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)5 W
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)

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Si7368DP
Vishay Siliconix
N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
20
R
DS(on)
(Ω)
0.0055 at V
GS
= 10 V
0.0085 at V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
20
16
FEATURES
Halogen-free available
TrenchFET
®
Power MOSFET
Low R
DS
x Q
g
Figure of Merit
Optimized For High Frequency Conversion
RoHS
COMPLIANT
APPLICATIONS
• Low-Side MOSFET in Synchronous Buck
• DC/DC Converters in Desktops
• Low Output Voltage Synchronous Rectifier
PowerPAK
®
SO-8
6.15 mm
S
1
2
3
S
S
5.15 mm
G
4
D
D
8
7
6
5
D
D
D
G
Bottom View
Ordering Information:
Si7368DP-T1-E3 (Lead (Pb)-free)
Si7368DP-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)
S
N-Channel MOSFET
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
T
A
= 25 °C, unless otherwise noted
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current (T
J
= 150 °C)
a
Pulsed Drain Current (10 µs Pulse Width)
Continuous Source Current (Diode Conduction)
a
Maximum Power Dissipation
a
Operating Junction and Storage Temperature Range
Soldering Recommendations (Peak Temperature)
b,c
Symbol
V
DS
V
GS
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
I
D
I
DM
I
S
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
P
D
T
J
, T
stg
10 s
Steady State
20
± 16
Unit
V
20
17
50
4.1
5
3.2
- 55 to 150
260
13
10
1.4
1.7
1.1
A
W
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient
a
t
10 s
Steady State
Steady State
Symbol
R
thJA
Typical
20
53
3.4
Maximum
25
70
4.5
Unit
°C/W
R
thJC
Maximum Junction-to-Case (Drain)
Notes:
a. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 board.
b. See Solder Profile (
http://www.vishay.com/ppg?73257).
The PowerPAK SO-8 is a leadless package. The end of the lead terminal is exposed
copper (not plated) as a result of the singulation process in manufacturing. A solder fillet at the exposed copper tip cannot be guaranteed and
is not required to ensure adequate bottom side solder interconnection.
c. Rework Conditions: manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components.
Document Number: 72154
S-80438-Rev. D, 03-Mar-08
www.vishay.com
1

SI7368DP-T1-E3相似产品对比

SI7368DP-T1-E3 SI7368DP-T1-GE3
描述 MOSFET N-CH 20V 13A PPAK SO-8 mosfet N-CH 20v 13a ppak SO-8
是否Rohs认证 符合 符合
厂商名称 Vishay(威世) Vishay(威世)
Reach Compliance Code compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
配置 Single Single
最大漏极电流 (Abs) (ID) 13 A 13 A
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高工作温度 150 °C 150 °C
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 5 W 5 W
表面贴装 YES YES
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