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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> BFP193WE6327HTSA1
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BFP193WE6327HTSA1

产品描述TRANSISTOR NPN RF 12V SOT-343
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小524KB，共6页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
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BFP193WE6327HTSA1概述

TRANSISTOR NPN RF 12V SOT-343

BFP193WE6327HTSA1规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
厂商名称Infineon(英飞凌)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)0.08 A
基于收集器的最大容量0.9 pF
集电极-发射极最大电压12 V
配置SINGLE
最高频带L BAND
JESD-30 代码R-PDSO-G4
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量4
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）260
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层MATTE TIN
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)8000 MHz

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BFP193W
Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor
•
For low noise, high-gain amplifiers up to 2 GHz
•
For linear broadband amplifiers
•
f
T
= 8 GHz,
NF
min
= 1 dB at 900 MHz
•
Pb-free (RoHS compliant) package
•
Qualification report according to AEC-Q101 available
3
4
1
2
ESD
(
E
lectro
s
tatic
d
ischarge) sensitive device, observe handling precaution!
Type
BFP193W
Marking
Pin Configuration
RCs
1=E 2=C 3=E 4=B -
Package
-
SOT343
Maximum Ratings
at
T
A
= 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
V
CEO
V
CES
V
CBO
V
EBO
I
C
I
B
P
tot
T
J
T
Stg
Symbol
R
thJS
Value
Unit
Collector-emitter voltage
Collector-emitter voltage
Collector-base voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Base current
Total power dissipation
1)
T
S
≤
66°C
12
20
20
2
80
10
580
150
-55 ... 150
Value
V
mA
mW
°C
Junction temperature
Storage temperature
Thermal Resistance
Parameter
Unit
Junction - soldering point
2)
1
T
S
is
2
For
145
K/W
measured on the collector lead at the soldering point to the pcb
the definition of
R
thJS
please refer to Application Note AN077 (Thermal Resistance Calculation)
1
2014-04-04

BFP193WE6327HTSA1相似产品对比

BFP193WE6327HTSA1 BFP193WH6327XTSA1 BFP 193W H6327
描述 TRANSISTOR NPN RF 12V SOT-343 RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR
厂商名称 Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌) -
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 -
Reach Compliance Code unknown compliant -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -
最大集电极电流 (IC) 0.08 A 0.08 A -
基于收集器的最大容量 0.9 pF 1 pF -
集电极-发射极最大电压 12 V 12 V -
配置 SINGLE SINGLE -
最高频带 L BAND L BAND -
JESD-30 代码 R-PDSO-G4 R-PDSO-G3 -
JESD-609代码 e3 e3 -
元件数量 1 1 -
端子数量 4 3 -
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY -
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR -
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE -
峰值回流温度（摄氏度） 260 NOT SPECIFIED -
极性/信道类型 NPN NPN -
表面贴装 YES YES -
端子面层 MATTE TIN Tin (Sn) -
端子形式 GULL WING GULL WING -
端子位置 DUAL DUAL -
处于峰值回流温度下的最长时间 40 NOT SPECIFIED -
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER -
晶体管元件材料 SILICON SILICON -
标称过渡频率 (fT) 8000 MHz 8000 MHz -

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