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CBRLDSH1-40 TR13

产品描述RECT BRIDGE 1A 40V 4LPDIP
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小589KB,共3页
制造商Central Semiconductor
标准
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CBRLDSH1-40 TR13概述

RECT BRIDGE 1A 40V 4LPDIP

CBRLDSH1-40 TR13规格参数

参数名称属性值
二极管类型单相
技术肖特基
电压 - 峰值反向(最大值)40V
电流 - 平均整流(Io)1A
不同 If 时的电压 - 正向(Vf500mV @ 1A
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流100µA @ 40V
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装
封装/外壳4-SMD,鸥翼
供应商器件封装4-LPDIP

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CBRLDSH1-40
SURFACE MOUNT
LOW PROFILE
1 AMP SILICON
SCHOTTKY BRIDGE RECTIFIER
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CBRLDSH1-40
is a full wave Schottky bridge rectifier mounted in a
low profile epoxy surface mount molded case, utilizing
glass passivated chips.
MARKING CODE: CLP1
LPDIP CASE
APPLICATIONS:
Solid state lighting (SSL)
DC-DC converters
Polarity protection
FEATURES:
Low leakage current (16μA TYP @ VRRM)
Low profile case (1.45mm MAX)
Low VF Schottky diodes (450mV TYP @ IF=1.0A)
SYMBOL
VRRM
VR
VR(RMS)
IO
IFSM
TJ, Tstg
Θ
JA
UNITS
V
V
V
A
A
°C
°C/W
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C unless otherwise noted)
Peak Repetitive Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
RMS Reverse Voltage
Average Forward Current
Peak Forward Surge Current (tp=8.3ms)
Operating & Storage Junction Temperature
Thermal Resistance
40
40
28
1.0
30
-55 to +150
95
ELECTRICAL CHARACTERISTICS PER DIODE:
(TA=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
TYP
IR
VR=40V
16
BVR
IR=0.1mA
40
50
VF
CJ
IF=1.0A
VR=4.0V, f=1.0MHz
450
110
MAX
100
UNITS
μA
V
500
mV
pF
R1 (17-January 2012)

 
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