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CMOSH-3 TR13

产品描述DIODE SCHOTTKY 30V 100MA SOD523
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小657KB,共5页
制造商Central Semiconductor
标准
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CMOSH-3 TR13概述

DIODE SCHOTTKY 30V 100MA SOD523

CMOSH-3 TR13规格参数

参数名称属性值
二极管类型肖特基
电压 - DC 反向(Vr)(最大值)30V
电流 - 平均整流(Io)100mA
不同 If 时的电压 - 正向(Vf1V @ 100mA
速度小信号 =< 200mA(Io),任意速度
反向恢复时间(trr)5ns
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流500nA @ 25V
不同 Vr,F 时的电容7pF @ 1V,1MHz
安装类型表面贴装
封装/外壳SC-79,SOD-523
供应商器件封装SOD-523
工作温度 - 结-65°C ~ 150°C

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CMOSH-3
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
SURFACE MOUNT SILICON
SCHOTTKY DIODE
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMOSH-3 is a
silicon Schottky diode, epoxy molded in an SOD-523
surface mount package, designed for fast switching
applications requiring a low forward voltage drop.
MARKING CODE: 53
SOD-523 CASE
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C)
Peak Repetitive Reverse Voltage
Continuous Forward Current
Peak Repetitive Forward Current
Peak Forward Surge Current, tp=10ms
Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature
Thermal Resistance
ELECTRICAL
SYMBOL
IR
IR
BVR
VF
VF
VF
CJ
trr
SYMBOL
VRRM
IF
IFRM
IFSM
PD
TJ, Tstg
Θ
JA
30
100
350
750
250
-65 to +150
500
UNITS
V
mA
mA
mA
mW
°C
°C/W
CHARACTERISTICS:
(TA=25°C unless otherwise noted)
TEST CONDITIONS
MIN
TYP
VR=25V
90
VR=25V, TA=100°C
25
IR=100μA
IF=2.0mA
IF=15mA
IF=100mA
VR=1.0V, f=1.0MHz
IF=IR=10mA, Irr=1.0mA, RL=100Ω
30
0.29
0.37
0.51
7.0
MAX
500
100
0.33
0.45
1.00
5.0
UNITS
nA
μA
V
V
V
V
pF
ns
R6 (11-February 2016)

 
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