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CMPTA42 TR

产品描述TRANS NPN 300V 0.5A SOT-23
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小478KB,共11页
制造商Central Semiconductor
标准
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CMPTA42 TR概述

TRANS NPN 300V 0.5A SOT-23

CMPTA42 TR规格参数

参数名称属性值
晶体管类型NPN
电流 - 集电极(Ic)(最大值)500mA
电压 - 集射极击穿(最大值)300V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值)500mV @ 2mA,20mA
电流 - 集电极截止(最大值)100nA(ICBO)
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)40 @ 30mA,10V
功率 - 最大值350mW
频率 - 跃迁50MHz
工作温度-65°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装SOT-23

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CMPTA42 NPN
CMPTA92 PNP
SURFACE MOUNT
COMPLEMENTARY
HIGH VOLTAGE
SILICON TRANSISTORS
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPTA42 and
CMPTA92 are complementary surface mount epoxy
molded silicon planar epitaxial transistors designed for
high voltage applications.
MARKING CODES: CMPTA42: C1D
CMPTA92: C2D
SOT-23 CASE
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C)
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Continuous Collector Current
Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature
Thermal Resistance
SYMBOL
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PD
TJ, Tstg
Θ
JA
CMPTA42
300
300
6.0
CMPTA92
300
300
5.0
500
350
-65 to +150
357
UNITS
V
V
V
mA
mW
°C
°C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS:
(TA=25°C unless otherwise noted)
CMPTA42
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN MAX
ICBO
IEBO
IEBO
BVCBO
BVCEO
BVEBO
VCE(SAT)
VBE(SAT)
hFE
hFE
hFE
fT
Cob
VCB=200V
VBE=6.0V
VBE=3.0V
IC=100µA
IC=1.0mA
IE=100µA
IC=20mA, IB=2.0mA
IC=20mA, IB=2.0mA
VCE=10V, IC=1.0mA
VCE=10V, IC=10mA
VCE=10V, IC=30mA
VCE=20V, IC=10mA, f=100MHz
VCB=20V, IE=0, f=1.0MHz
-
-
-
300
300
6.0
-
-
25
40
40
50
-
100
100
-
-
-
-
0.5
0.9
-
-
-
-
6.0
CMPTA92
MIN
MAX
-
-
-
300
300
5.0
-
-
25
40
25
50
-
250
-
100
-
-
-
0.5
0.9
-
-
-
-
6.0
UNITS
nA
nA
nA
V
V
V
V
V
MHz
pF
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