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CMKD4448 TR

产品描述DIODE SWITCHING 75V SOT363
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小566KB,共3页
制造商Central Semiconductor
标准
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CMKD4448 TR概述

DIODE SWITCHING 75V SOT363

CMKD4448 TR规格参数

参数名称属性值
二极管配置3 个独立式
二极管类型标准
电压 - DC 反向(Vr)(最大值)75V
电流 - 平均整流(Io)(每二极管)250mA(DC)
不同 If 时的电压 - 正向(Vf1V @ 100mA
速度快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间(trr)4ns
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流25nA @ 20V
工作温度 - 结-65°C ~ 175°C
安装类型表面贴装
封装/外壳6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装SOT-363

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CMKD4448
SURFACE MOUNT
TRIPLE ISOLATED
HIGH SPEED SILICON
SWITCHING DIODES
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMKD4448
type contains three (3) Isolated High Speed Silicon
Switching Diodes, manufactured by the epitaxial planar
process, epoxy molded in an ULTRAmini™ surface
mount package, designed for applications requiring
high speed switching applications.
MARKING CODE: K48
SOT-363 CASE
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C)
Continuous Reverse Voltage
Peak Repetitive Reverse Voltage
Continuous Forward Current
Peak Repetitive Forward Current
Peak Forward Surge Current, tp=1.0μs
Peak Forward Surge Current, tp=1.0s
Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature
Thermal Resistance
SYMBOL
VR
VRRM
IF
IFRM
IFSM
IFSM
PD
TJ, Tstg
Θ
JA
75
100
250
500
4.0
1.0
325
-65 to +175
461
UNITS
V
V
mA
mA
A
A
mW
°C
°C/W
UNITS
nA
V
V
ELECTRICAL CHARACTERISTICS PER DIODE:
(TA=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL TEST CONDITIONS
MIN
MAX
IR
VR=20V
25
BVR
BVR
VF
CT
trr
IR=5.0μA
IR=100μA
IF=100mA
VR=0, f=1.0MHz
IR=IF=10mA, Irr=1.0mA, RL=100Ω
75
100
1.0
4.0
4.0
V
pF
ns
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