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25AA1024-E/SM

产品描述128K X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8
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文件大小448KB,共30页
制造商Microchip(微芯科技)
官网地址https://www.microchip.com
标准
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25AA1024-E/SM概述

128K X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8

128K × 8 总线串行电可擦除只读存储器, PDSO8

25AA1024-E/SM规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码SOIC
包装说明0.208 INCH, PLASTIC, SOIC-8
针数8
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
最大时钟频率 (fCLK)20 MHz
JESD-30 代码R-PDSO-G8
JESD-609代码e3
长度5.28 mm
内存密度1048576 bi
内存集成电路类型EEPROM
内存宽度8
功能数量1
端子数量8
字数131072 words
字数代码128000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织128KX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOP
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
并行/串行SERIAL
峰值回流温度(摄氏度)260
认证状态Not Qualified
座面最大高度2.03 mm
串行总线类型SPI
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)1.8 V
标称供电电压 (Vsup)2.5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
宽度5.21 mm
最长写入周期时间 (tWC)5 ms
Base Number Matches1

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25AA1024/25LC1024
1 Mbit SPI Bus Serial EEPROM
Device Selection Table
Part Number
25LC1024
25AA1024
V
CC
Range
2.5-5.5V
1.8-5.5V
Page Size
256 Byte
256 Byte
Temp. Ranges
I,E
I
Packages
P, SM, MF
P, SM, MF
Features:
• 20 MHz max. Clock Speed
• Byte and Page-level Write Operations:
- 256 byte page
- 6 ms max. write cycle time
- No page or sector erase required
• Low-Power CMOS Technology:
- Max. Write current: 5 mA at 5.5V, 20 MHz
- Read current: 7 mA at 5.5V, 20 MHz
- Standby current: 1μA at 2.5V
(Deep power-down)
• Electronic Signature for Device ID
• Self-Timed Erase and Write Cycles:
- Page Erase (6 ms max.)
- Sector Erase (10 ms max.)
- Chip Erase (10 ms max.)
• Sector Write Protection (32K byte/sector):
- Protect none, 1/4, 1/2 or all of array
• Built-In Write Protection:
- Power-on/off data protection circuitry
- Write enable latch
- Write-protect pin
• High Reliability:
- Endurance: 1M erase/write cycles
• Temperature Ranges Supported:
- Industrial (I):
-40°C to +85°C
- Automotive (E):
-40°C to +125°C
• Pb-free packages available
Description:
The Microchip Technology Inc. 25AA1024/25LC1024
(25XX1024
*
) is a 1024 Kbit serial EEPROM memory
with byte-level and page-level serial EEPROM func-
tions. It also features Page, Sector and Chip erase
functions typically associated with Flash-based prod-
ucts. These functions are not required for byte or page
write operations. The memory is accessed via a simple
Serial Peripheral Interface (SPI) compatible serial bus.
The bus signals required are a clock input (SCK) plus
separate data in (SI) and data out (SO) lines. Access to
the device is controlled by a Chip Select (CS) input.
Communication to the device can be paused via the
hold pin (HOLD). While the device is paused, transi-
tions on its inputs will be ignored, with the exception of
Chip Select, allowing the host to service higher priority
interrupts.
The 25XX1024 is available in standard packages
including 8-lead PDIP and SOIJ, and advanced 8-lead
DFN package. All devices are Pb-free.
Package Types (not to scale)
DFN
25LC1024
CS 1
SO 2
WP 3
(MF)
8
7
6
5
V
CC
HOLD
SCK
SI
PDIP/SOIJ
(P, SM)
25LC1024
CS
SO
WP
V
SS
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC
HOLD
SCK
SI
Pin Function Table
Name
CS
SO
WP
V
SS
SI
SCK
HOLD
V
CC
Function
Chip Select Input
Serial Data Output
Write-Protect
Ground
Serial Data Input
Serial Clock Input
Hold Input
Supply Voltage
V
SS
4
*25XX1024 is used in this document as a generic part number
for the 25AA1024, 25LC1024 devices.
©
2007 Microchip Technology Inc.
Preliminary
DS21836D-page 1

25AA1024-E/SM相似产品对比

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描述 128K X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8 128K X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8 128K X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8 128K X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8 128K X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8 128K X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8
包装说明 0.208 INCH, PLASTIC, SOIC-8 6 X 5 MM, PLASTIC, MO-220, DFN-8 , 0.300 INCH, PLASTIC, MS-001, DIP-8 6 X 5 MM, PLASTIC, MO-220, DFN-8 0.300 INCH, PLASTIC, MS-001, DIP-8
Reach Compliance Code compli compli compli compli compli compli
Base Number Matches 1 1 1 1 1 1
是否无铅 不含铅 不含铅 - 不含铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合 - 符合 符合 符合
零件包装代码 SOIC QFN - DIP QFN DIP
针数 8 8 - 8 8 8
ECCN代码 EAR99 EAR99 - EAR99 EAR99 EAR99
最大时钟频率 (fCLK) 20 MHz 20 MHz - 20 MHz 20 MHz 20 MHz
JESD-30 代码 R-PDSO-G8 R-PDSO-N8 - R-PDIP-T8 R-PDSO-N8 R-PDIP-T8
JESD-609代码 e3 e3 - e3 e3 e3
长度 5.28 mm 5.99 mm - 9.46 mm 5.99 mm 9.46 mm
内存密度 1048576 bi 1048576 bi - 1048576 bi 1048576 bi 1048576 bi
内存集成电路类型 EEPROM EEPROM - EEPROM EEPROM EEPROM
内存宽度 8 8 - 8 8 8
功能数量 1 1 - 1 1 1
端子数量 8 8 - 8 8 8
字数 131072 words 131072 words - 131072 words 131072 words 131072 words
字数代码 128000 128000 - 128000 128000 128000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS - SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 85 °C - 85 °C 85 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C - -40 °C -40 °C -40 °C
组织 128KX8 128KX8 - 128KX8 128KX8 128KX8
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 SOP VSON - DIP VSON DIP
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR - RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE - IN-LINE SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE IN-LINE
并行/串行 SERIAL SERIAL - SERIAL SERIAL SERIAL
峰值回流温度(摄氏度) 260 260 - NOT SPECIFIED 260 NOT SPECIFIED
认证状态 Not Qualified Not Qualified - Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 2.03 mm 1 mm - 4.32 mm 1 mm 4.32 mm
串行总线类型 SPI SPI - SPI SPI SPI
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V - 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 1.8 V 1.8 V - 1.8 V 1.8 V 1.8 V
标称供电电压 (Vsup) 2.5 V 2.5 V - 2.5 V 2.5 V 2.5 V
表面贴装 YES YES - NO YES NO
技术 CMOS CMOS - CMOS CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL - INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子面层 Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn) - Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn)
端子形式 GULL WING NO LEAD - THROUGH-HOLE NO LEAD THROUGH-HOLE
端子节距 1.27 mm 1.27 mm - 2.54 mm 1.27 mm 2.54 mm
端子位置 DUAL DUAL - DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 40 40 - NOT SPECIFIED 40 NOT SPECIFIED
宽度 5.21 mm 4.92 mm - 7.62 mm 4.92 mm 7.62 mm
最长写入周期时间 (tWC) 5 ms 5 ms - 5 ms 5 ms 5 ms
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