NPN-Silizium-Fototransistor
Silicon NPN Phototransistor
Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant
BPX 81
Wesentliche Merkmale
• Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich
von 450 nm bis 1100 nm
• Hohe Linearität
• Einstellige Zeilenbauform aus klarem Epoxy
• Gruppiert lieferbar
Anwendungen
• Computer-Blitzlichtgeräte
• Miniaturlichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
• Industrieelektronik
• „Messen/Steuern/Regeln“
Typ
Type
BPX 81
BPX 81-2/3
BPX 81-3
BPX 81-3/4
BPX 81-4
Bestellnummer
Ordering Code
Q62702P0020
Q62702P3583
Q62702P3584
Features
• Especially suitable for applications from
450 nm to 1100 nm
• High linearity
• One-digit array package of transparent epoxy
• Available in groups
Applications
•
•
•
•
Computer-controlled flashes
Miniature photointerrupters
Industrial electronics
For control and drive circuits
Fotostrom
,
E
e
= 0.5 mW/cm
2
,
λ
= 950 nm
, V
CE
= 5 V
Photocurrent
I
PCE
(mA)
> 0.25
0.25…0.80
> 0.40
Q62702P0043S0003 0.40…0.80
Q62702P0043S0004 > 0.63
2007-03-30
1
BPX 81
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Kollektor-Emitterspannung
Collector-emitter voltage
Kollektorstrom
Collector current
Kollektorspitzenstrom,
τ <
10
μs
Collector surge current
Verlustleistung,
T
A
= 25
°C
Total power dissipation
Wärmewiderstand
Thermal resistance
Symbol
Symbol
Wert
Value
– 40
…
+ 80
35
50
200
90
750
Einheit
Unit
°C
V
mA
mA
mW
K/W
T
op
;
T
stg
V
CE
I
C
I
CS
P
tot
R
thJA
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2
BPX 81
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C, λ
= 950 nm)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S
= 10% von
S
max
Spectral range of sensitivity
S
= 10% of
S
max
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area
Abmessung der Chipfläche
Dimensions of chip area
Halbwinkel
Half angle
Kapazität
Capacitance
V
CE
= 0 V,
f
= 1 MHz,
E
= 0
Dunkelstrom
Dark current
V
CE
= 20 V,
E
= 0
Symbol
Symbol
λ
S max
λ
Wert
Value
850
450
…
1100
Einheit
Unit
nm
nm
A
L
×
B
L
×
W
ϕ
0.11
0.5
×
0.5
±
18
7.5
mm
2
mm
×
mm
Grad
deg.
pF
C
CE
I
CEO
1 (≤ 50)
nA
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3
BPX 81
Die Fototransistoren werden nach ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert und mit arabischen Ziffern
gekennzeichnet.
The phototransistors are grouped according to their spectral sensitivity and distinguished by
arabian figures.
Bezeichnung
Parameter
Fotostrom,
λ =
950 nm
Photocurrent
E
e
= 0.5 mW/cm
2
,
V
CE
= 5 V
E
v
= 1000 Ix, Normlicht/standard light A,
V
CE
= 5 V
Anstiegszeit/Abfallzeit
Rise and fall time
I
C
= 1 mA,
V
CC
= 5 V,
R
L
= 1 kΩ
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emitter saturation voltage
I
C
=
I
PCEmin1)
×
0.3
E
e
= 0.5 mW/cm
2
1)
1)
Symbol
Symbol
-2
Wert
Value
-3
-4
Einheit
Unit
I
PCE
I
PCE
t
r
,
t
f
0.25…0.50
1.2
5.5
0.40…0.80
1.9
6
≥
0.63
2.9
8
mA
mA
μs
V
CEsat
150
150
150
mV
I
PCEmin
ist der minimale Fotostrom der jeweiligen Gruppe.
I
PCEmin
is the min. photocurrent of the specified group.
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4
BPX 81
Relative Spectral Sensitivity
S
rel
=
f
(λ)
100
%
90
Srel
80
70
60
50
40
30
20
10
0
400
500
600
700
800
nm
900 1000 1100
lambda
Photocurrent
I
PCE
=
f
(E
e
),
V
CE
= 5 V
Total Power Dissipation
P
tot
=
f
(T
A
)
Photocurrent
I
PCE
/I
PCE25
o
=
f
(T
A
),
V
CE
= 5 V
Collector-Emitter Capacitance
C
CE
=
f
(
V
CE
),
f
= 1 MHz,
E
= 0
8
Dark Current
I
CEO
=
f
(
V
CE
),
E
= 0
10
pF
7
C
ce
6
5
4
3
nA
I
CEO
1
0.1
2
1
0
1E-03
0.01
1E-02
1E-01
1E+00
1E+01
V
ce
V
1E+02
0
5
10
15
20
25
30
V
35
V
CE
Directional Characteristics
S
rel
=
f
(ϕ)
Dark Current
I
CEO
=
f
(
T
A
),
V
CE
= 20 V,
E
= 0
10000
nA
1000
I
CEO
100
10
1
0.1
0.01
-25
0
25
50
75
T
A
°C
100
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嵌入式系统
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