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SE15FDHM3/I

产品描述DIODE GEN PURP 200V 1.5A DO219AB
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小130KB,共6页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
标准
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SE15FDHM3/I概述

DIODE GEN PURP 200V 1.5A DO219AB

SE15FDHM3/I规格参数

参数名称属性值
二极管类型标准
电压 - DC 反向(Vr)(最大值)200V
电流 - 平均整流(Io)1.5A
不同 If 时的电压 - 正向(Vf1.05V @ 1.5A
速度标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间(trr)900ns
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流5µA @ 200V
不同 Vr,F 时的电容10.5pF @ 4V,1MHz
安装类型表面贴装
封装/外壳DO-219AB
供应商器件封装DO-219AB(SMF)
工作温度 - 结-55°C ~ 175°C

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SE15FD, SE15FG, SE15FJ
www.vishay.com
Vishay General Semiconductor
Surface Mount Standard Rectifiers
FEATURES
TMBS
®
eSMP
®
Series
• Low profile package
• Ideal for automated placement
• Oxide planar chip junction
• Low forward voltage drop, low leakage current
• ESD capability
• Meets MSL level 1, per
LF maximum peak of 260 °C
• Wave and reflow solderable
J-STD-020,
Available
Top view
Bottom view
SMF
(DO-219AB)
Cathode
Anode
• AEC-Q101 qualified available
- Automotive ordering code: base P/NHM3
• Material categorization: for definitions of compliance
please see
www.vishay.com/doc?99912
DESIGN SUPPORT TOOLS
Models
Available
click logo to get started
TYPICAL APPLICATIONS
General purpose, power line polarity protection, in
commercial, industrial, and automotive applications.
I
F(AV)
V
RRM
I
FSM
1.5 A
200 V, 400 V, 600 V
30 A
0.86 V
5 μA
175 °C
SMF (DO-219AB)
Single
PRIMARY CHARACTERISTICS
MECHANICAL DATA
Case:
SMF (DO-219AB)
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating
Base P/N-M3 - for halogen-free, and RoHS-compliant
Base P/NHM3 - for halogen-free, RoHS-compliant, and
AEC-Q101 qualified
Terminals:
matte tin plated leads, solderable per
J-STD-002 and JESD 22-B102
M3 and HM3 suffix meets JESD 201 class 2 whisker test
Polarity:
color band denotes the cathode end
V
F
at I
F
= 1.5 A (T
A
= 125 °C)
I
R
T
J
max.
Package
Circuit configuration
MAXIMUM RATINGS
(T
A
= 25 °C unless otherwise noted)
PARAMETER
Device marking code
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum DC forward current
Peak forward surge current 10 ms single half
sine-wave superimposed on rated load
Operating junction and storage temperature range
Note
(1)
Free air, mounted on recommended PCB, 2 oz. pad area
V
RRM
I
F(AV) (1)
I
FSM
T
J
, T
STG
SYMBOL
SE15FD
BD
200
SE15FG
BG
400
1.5
30
-55 to +175
SE15FJ
BJ
600
V
A
A
°C
UNIT
Revision: 06-Jun-2018
Document Number: 87723
1
For technical questions within your region:
DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT
www.vishay.com/doc?91000

SE15FDHM3/I相似产品对比

SE15FDHM3/I SE15FGHM3/H SE15FJHM3/H SE15FJHM3/I SE15FD-M3/H SE15FD-M3/I SE15FG-M3/H
描述 DIODE GEN PURP 200V 1.5A DO219AB DIODE GEN PURP 400V 1.5A DO219AB DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO219AB DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO219AB DIODE GEN PURP 200V 1.5A DO219AB DIODE GEN PURP 200V 1.5A DO219AB DIODE GEN PURP 400V 1.5A DO219AB
二极管类型 标准 标准 标准 标准 标准 标准 标准
电压 - DC 反向(Vr)(最大值) 200V 400V 600V 600V 200V 200V 400V
电流 - 平均整流(Io) 1.5A 1.5A 1.5A 1.5A 1.5A 1.5A 1.5A
不同 If 时的电压 - 正向(Vf 1.05V @ 1.5A 1.05V @ 1.5A 1.05V @ 1.5A 1.05V @ 1.5A 1.05V @ 1.5A 1.05V @ 1.5A 1.05V @ 1.5A
速度 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间(trr) 900ns 900ns 900ns 900ns 900ns 900ns 900ns
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流 5µA @ 200V 5µA @ 400V 5µA @ 600V 5µA @ 600V 5µA @ 200V 5µA @ 200V 5µA @ 400V
不同 Vr,F 时的电容 10.5pF @ 4V,1MHz 10.5pF @ 4V,1MHz 10.5pF @ 4V,1MHz 10.5pF @ 4V,1MHz 10.5pF @ 4V,1MHz 10.5pF @ 4V,1MHz 10.5pF @ 4V,1MHz
安装类型 表面贴装 表面贴装 表面贴装 表面贴装 表面贴装 表面贴装 表面贴装
封装/外壳 DO-219AB DO-219AB DO-219AB DO-219AB DO-219AB DO-219AB DO-219AB
供应商器件封装 DO-219AB(SMF) DO-219AB(SMF) DO-219AB(SMF) DO-219AB(SMF) DO-219AB(SMF) DO-219AB(SMF) DO-219AB(SMF)
工作温度 - 结 -55°C ~ 175°C -55°C ~ 175°C -55°C ~ 175°C -55°C ~ 175°C -55°C ~ 175°C -55°C ~ 175°C -55°C ~ 175°C
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