512K X 8 FLASH 3V PROM, 90 ns, PDSO32
| 参数名称 | 属性值 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 32 |
| 最小工作温度 | -40 Cel |
| 最大工作温度 | 85 Cel |
| 额定供电电压 | 3 V |
| 最小供电/工作电压 | 2.7 V |
| 最大供电/工作电压 | 3.6 V |
| 加工封装描述 | 20 X 8 MM, ROHS COMPLIANT, MO-142, TSOP-1-32 |
| 欧盟RoHS规范 | Yes |
| 状态 | Active |
| ype | NOR TYPE |
| sub_category | Flash Memories |
| ccess_time_max | 90 ns |
| command_user_interface | YES |
| common_flash_interface | YES |
| data_polling | YES |
| jesd_30_code | R-PDSO-G32 |
| jesd_609_code | e6 |
| 存储密度 | 4.19E6 bi |
| 内存IC类型 | FLASH |
| 内存宽度 | 8 |
| moisture_sensitivity_level | 3 |
| umber_of_sectors_size | 8 |
| 位数 | 524288 words |
| 位数 | 512K |
| 操作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 组织 | 512KX8 |
| 包装材料 | PLASTIC/EPOXY |
| ckage_code | TSOP1 |
| ckage_equivalence_code | TSSOP32,.8,20 |
| 包装形状 | RECTANGULAR |
| 包装尺寸 | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
| 串行并行 | PARALLEL |
| eak_reflow_temperature__cel_ | 260 |
| wer_supplies__v_ | 3/3.3 |
| gramming_voltage__v_ | 3 |
| qualification_status | COMMERCIAL |
| seated_height_max | 1.2 mm |
| sector_size__words_ | 64K |
| standby_current_max | 5.00E-6 Am |
| 最大供电电压 | 0.0300 Am |
| 表面贴装 | YES |
| 工艺 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 端子涂层 | TIN BISMUTH |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子间距 | 0.5000 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| ime_peak_reflow_temperature_max__s_ | 40 |
| ggle_bi | YES |
| length | 18.4 mm |
| width | 8 mm |

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