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ALD1106SBL

产品描述MOSFET 4N-CH 10.6V 14SOIC
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小97KB,共11页
制造商Advanced_Linear_Devices_Inc.
标准
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ALD1106SBL概述

MOSFET 4N-CH 10.6V 14SOIC

ALD1106SBL规格参数

参数名称属性值
FET 类型4 N 沟道,配对
FET 功能标准
漏源电压(Vdss)10.6V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)500 欧姆 @ 5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)1V @ 1µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)3pF @ 5V
功率 - 最大值500mW
工作温度0°C ~ 70°C(TJ)
安装类型表面贴装
封装/外壳14-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装14-SOIC

ALD1106SBL相似产品对比

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描述 MOSFET 4N-CH 10.6V 14SOIC MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP MOSFET 4N-CH 10.6V 14DIP
FET 类型 4 N 沟道,配对 2 N 沟道(双)配对 2 N 沟道(双)配对 4 N 沟道,配对
FET 功能 标准 标准 标准 标准
漏源电压(Vdss) 10.6V 10.6V 10.6V 10.6V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 500 欧姆 @ 5V 500 欧姆 @ 5V 500 欧姆 @ 5V 500 欧姆 @ 5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1µA 1V @ 1µA 1V @ 1µA 1V @ 1µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3pF @ 5V 3pF @ 5V 3pF @ 5V 3pF @ 5V
功率 - 最大值 500mW 500mW 500mW 500mW
工作温度 0°C ~ 70°C(TJ) 0°C ~ 70°C(TJ) 0°C ~ 70°C(TJ) 0°C ~ 70°C(TJ)
安装类型 表面贴装 表面贴装 通孔 通孔
封装/外壳 14-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 8-DIP(0.300",7.62mm) 14-DIP(0.300",7.62mm)
供应商器件封装 14-SOIC 8-SOIC 8-PDIP 14-PDIP
Verilog写的异步FIFO程序
//----------------------------------------------------- 2 // Design Name : syn_fifo 3 // File Name : syn_fifo.v 4 // Function : Synchronous (single clock) FIFO 5 // Coder : Deepak Kumar Tala 6 //-----...
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