MOSFET 4N-CH 10.6V 14SOIC
参数名称 | 属性值 |
FET 类型 | 4 N 沟道,配对 |
FET 功能 | 标准 |
漏源电压(Vdss) | 10.6V |
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) | 500 欧姆 @ 5V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 1V @ 1µA |
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 3pF @ 5V |
功率 - 最大值 | 500mW |
工作温度 | 0°C ~ 70°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 14-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商器件封装 | 14-SOIC |
ALD1106SBL | ALD1116SAL | ALD1116PAL | ALD1106PBL | |
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描述 | MOSFET 4N-CH 10.6V 14SOIC | MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC | MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP | MOSFET 4N-CH 10.6V 14DIP |
FET 类型 | 4 N 沟道,配对 | 2 N 沟道(双)配对 | 2 N 沟道(双)配对 | 4 N 沟道,配对 |
FET 功能 | 标准 | 标准 | 标准 | 标准 |
漏源电压(Vdss) | 10.6V | 10.6V | 10.6V | 10.6V |
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) | 500 欧姆 @ 5V | 500 欧姆 @ 5V | 500 欧姆 @ 5V | 500 欧姆 @ 5V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 1V @ 1µA | 1V @ 1µA | 1V @ 1µA | 1V @ 1µA |
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 3pF @ 5V | 3pF @ 5V | 3pF @ 5V | 3pF @ 5V |
功率 - 最大值 | 500mW | 500mW | 500mW | 500mW |
工作温度 | 0°C ~ 70°C(TJ) | 0°C ~ 70°C(TJ) | 0°C ~ 70°C(TJ) | 0°C ~ 70°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装 | 表面贴装 | 通孔 | 通孔 |
封装/外壳 | 14-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 8-DIP(0.300",7.62mm) | 14-DIP(0.300",7.62mm) |
供应商器件封装 | 14-SOIC | 8-SOIC | 8-PDIP | 14-PDIP |
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