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31GF6-M3/73

产品描述DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小72KB,共4页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
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31GF6-M3/73概述

DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

31GF6-M3/73规格参数

参数名称属性值
零件包装代码DO-201AD
包装说明O-PALF-W2
针数2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性FREE WHEELING DIODE
应用EFFICIENCY
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码DO-201AD
JESD-30 代码O-PALF-W2
JESD-609代码e3
最大非重复峰值正向电流90 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-40 °C
最大输出电流3 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压600 V
最大反向恢复时间0.03 µs
表面贴装NO
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

31GF6-M3/73相似产品对比

31GF6-M3/73 P-0603H2341AGBS
描述 DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD Fixed Resistor, Thin Film, 0.15W, 2340ohm, 75V, 0.05% +/-Tol, 50ppm/Cel, Surface Mount, 0603, CHIP
包装说明 O-PALF-W2 CHIP
Reach Compliance Code unknown compliant
其他特性 FREE WHEELING DIODE ANTI-SULFUR, FLAME PROOF, NON-INDUCTIVE
JESD-609代码 e3 e4
端子数量 2 2
最高工作温度 150 °C 155 °C
最低工作温度 -40 °C -55 °C
封装形式 LONG FORM SMT
表面贴装 NO YES
端子面层 Matte Tin (Sn) Gold (Au) - with Nickel (Ni) barrier

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