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1N4118 TR

产品描述DIODE ZENER 27V 250MW DO35
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小412KB,共3页
制造商Central Semiconductor
标准
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1N4118 TR概述

DIODE ZENER 27V 250MW DO35

1N4118 TR规格参数

参数名称属性值
电压 - 齐纳(标称值)(Vz)27V
容差±5%
功率 - 最大值250mW
阻抗(最大值)(Zzt)150 Ohms
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流10nA @ 20.5V
不同 If 时的电压 - 正向(Vf1.1V @ 200mA
工作温度-65°C ~ 200°C(TJ)
安装类型通孔
封装/外壳DO-204AH,DO-35,轴向
供应商器件封装DO-35

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1N4099 THRU 1N4135
SILICON ZENER DIODE
LOW NOISE
6.8 VOLT THRU 100 VOLT
250mW, 5% TOLERANCE
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR 1N4099 series
silicon Zener diode is designed for low leakage, low
current, and low noise applications.
MARKING: FULL PART NUMBER
DO-35 CASE
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C)
Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature
SYMBOL
PD
TJ, Tstg
250
-65 to +200
UNITS
mW
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS:
(TA=25°C) VF=1.1V MAX @ IF=200mA (for all types)
ZENER
VOLTAGE
VZ @ IZT
MIN
V
1N4099
1N4100
1N4101
1N4102
1N4103
1N4104
1N4105
1N4106
1N4107
1N4108
1N4109
1N4110
1N4111
1N4112
1N4113
1N4114
1N4115
1N4116
1N4117
1N4118
1N4119
1N4120
1N4121
6.460
7.125
7.790
8.265
8.645
9.50
10.45
11.40
12.35
13.30
14.25
15.20
16.15
17.10
18.05
19.00
20.90
22.80
23.75
25.65
26.60
28.50
31.35
NOM
V
6.8
7.5
8.2
8.7
9.1
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
22
24
25
27
28
30
33
MAX
V
7.140
7.875
8.610
9.135
9.555
10.50
11.55
12.60
13.65
14.70
15.75
16.80
17.85
18.90
19.95
21.00
23.10
25.20
26.25
28.35
29.40
31.50
34.65
TEST
CURRENT
IZT
μA
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
MAXIMUM
ZENER
IMPEDANCE
ZZT @ IZT
Ω
200
200
200
200
200
200
200
200
200
200
100
100
100
100
150
150
150
150
150
150
200
200
200
MAXIMUM
REVERSE
CURRENT
IR
μA
10
10
1.0
1.0
1.0
1.0
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
@
VR
V
5.2
5.7
6.3
6.7
7.0
7.6
8.5
9.2
9.9
10.7
11.4
12.2
13.0
13.7
14.5
15.2
16.8
18.3
19.0
20.5
21.3
22.8
25.1
MAXIMUM
ZENER
CURRENT
IZM
mA
35.0
31.8
29.0
27.4
26.2
24.8
21.6
20.4
19.0
17.5
16.3
15.4
14.5
13.2
12.5
11.9
10.8
9.9
9.5
8.8
8.5
7.9
7.2
MAXIMUM
NOISE
DENSITY
ND @ 250μA
μV/ Hz
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
TYPE
R1 (4-February 2014)
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