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SB840TA

产品描述DIODE SCHOTTKY 40V 8A DO201AD
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小834KB,共4页
制造商SMC
官网地址http://www.smc-diodes.com/
标准
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SB840TA概述

DIODE SCHOTTKY 40V 8A DO201AD

SB840TA规格参数

参数名称属性值
二极管类型肖特基
电压 - DC 反向(Vr)(最大值)40V
电流 - 平均整流(Io)8A
不同 If 时的电压 - 正向(Vf650mV @ 8A
速度快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流1mA @ 40V
不同 Vr,F 时的电容200pF @ 5V,1MHz
安装类型通孔
封装/外壳DO-201AD,轴向
供应商器件封装DO-201AD
工作温度 - 结-55°C ~ 150°C

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SB840
Technical Data
Data Sheet N0871, Rev.A
SB840 SCHOTTKY RECTIFIER
Features
Schottky Barrier Chip
Guard Ring Die Construction for Transient Protection
High Current Capability
Low Power Loss, High Efficiency
High Surge Current Capability
For Use in Low Voltage, High Frequency Inverters,
Free Wheeling, and Polarity Protection Applications
This is a Pb − Free Device
All SMC parts are traceable to the wafer lot
Additional testing can be offered upon request
DO-201AD
Circuit Diagram
Applications
Switching power supply
Converters
Free-Wheeling diodes
Reverse battery protection
Disk drives
Battery charging
Maximum Ratings:
Characteristics
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
Average Rectified Forward Current
Peak One Cycle Non-Repetitive Surge
Current
Symbol
V
RRM
V
RWM
V
R
I
F (AV)
I
FSM
Condition
-
50% duty cycle @T
C
=105°C,
rectangular wave form
8.3 ms, half Sine pulse, T
C
=25°C
Max.
40
8
160
Units
V
A
A
Electrical Characteristics:
Characteristics
Forward Voltage Drop*
Reverse Current*
Junction Capacitance
Voltage Rate of Change
Symbol
V
F1
V
F2
I
R1
I
R2
C
T
dv/dt
Condition
@ 8A, Pulse, T
J
= 25 °C
@ 8A, Pulse, T
J
= 125 °C
@V
R
= Rated V
R
, Pulse, T
J
= 25 °C
@V
R
= Rated V
R
, Pulse, T
J
= 125 °C
@V
R
= 5V, T
C
= 25 °C
f
SIG
= 1MHz
-
Typ.
0.55
0.53
0.03
18
180
-
Max.
0.65
0.63
1.0
30
200
10,000
Units
V
V
mA
mA
pF
V/us
* Pulse width < 300 µs, duty cycle < 2%
China - Germany - Korea - Singapore - United States
http://www.smc-diodes.com - sales@ smc-diodes.com

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SB840TA
描述 DIODE SCHOTTKY 40V 8A DO201AD
二极管类型 肖特基
电压 - DC 反向(Vr)(最大值) 40V
电流 - 平均整流(Io) 8A
不同 If 时的电压 - 正向(Vf 650mV @ 8A
速度 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流 1mA @ 40V
不同 Vr,F 时的电容 200pF @ 5V,1MHz
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