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SE20AFB-M3/6A

产品描述DIODE GEN PURP 100V 1.3A DO221AC
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小117KB,共5页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
标准
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SE20AFB-M3/6A概述

DIODE GEN PURP 100V 1.3A DO221AC

SE20AFB-M3/6A规格参数

参数名称属性值
二极管类型标准
电压 - DC 反向(Vr)(最大值)100V
电流 - 平均整流(Io)1.3A(DC)
不同 If 时的电压 - 正向(Vf1.1V @ 2A
速度标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间(trr)1.2µs
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流5µA @ 100V
不同 Vr,F 时的电容12pF @ 4V,1MHz
安装类型表面贴装
封装/外壳DO-221AC,SMA 扁平引线
供应商器件封装DO-221AC(SlimSMA)
工作温度 - 结-55°C ~ 175°C

SE20AFB-M3/6A相似产品对比

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描述 DIODE GEN PURP 100V 1.3A DO221AC DIODE GEN PURP 600V 1.3A DO221AC DIODE GEN PURP 100V 1.3A DO221AC DIODE GEN PURP 200V 1.3A DO221AC DIODE GEN PURP 400V 1.3A DO221AC DIODE GEN PURP 200V 1.3A DO221AC DIODE GEN PURP 400V 1.3A DO221AC
二极管类型 标准 标准 标准 标准 标准 标准 标准
电压 - DC 反向(Vr)(最大值) 100V 600V 100V 200V 400V 200V 400V
电流 - 平均整流(Io) 1.3A(DC) 1.3A(DC) 1.3A(DC) 1.3A(DC) 1.3A(DC) 1.3A(DC) 1.3A(DC)
不同 If 时的电压 - 正向(Vf 1.1V @ 2A 1.1V @ 2A 1.1V @ 2A 1.1V @ 2A 1.1V @ 2A 1.1V @ 2A 1.1V @ 2A
速度 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间(trr) 1.2µs 1.2µs 1.2µs 1.2µs 1.2µs 1.2µs 1.2µs
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流 5µA @ 100V 5µA @ 600V 5µA @ 100V 5µA @ 200V 5µA @ 400V 5µA @ 200V 5µA @ 400V
不同 Vr,F 时的电容 12pF @ 4V,1MHz 12pF @ 4V,1MHz 12pF @ 4V,1MHz 12pF @ 4V,1MHz 12pF @ 4V,1MHz 12pF @ 4V,1MHz 12pF @ 4V,1MHz
安装类型 表面贴装 表面贴装 表面贴装 表面贴装 表面贴装 表面贴装 表面贴装
封装/外壳 DO-221AC,SMA 扁平引线 DO-221AC,SMA 扁平引线 DO-221AC,SMA 扁平引线 DO-221AC,SMA 扁平引线 DO-221AC,SMA 扁平引线 DO-221AC,SMA 扁平引线 DO-221AC,SMA 扁平引线
供应商器件封装 DO-221AC(SlimSMA) DO-221AC(SlimSMA) DO-221AC(SlimSMA) DO-221AC(SlimSMA) DO-221AC(SlimSMA) DO-221AC(SlimSMA) DO-221AC(SlimSMA)
工作温度 - 结 -55°C ~ 175°C -55°C ~ 175°C -55°C ~ 175°C -55°C ~ 175°C -55°C ~ 175°C -55°C ~ 175°C -55°C ~ 175°C

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