电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

3.0SMCJ85

产品描述保护瞬态电压抑制器
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小168KB,共5页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

下载文档 详细参数 全文预览

3.0SMCJ85概述

保护瞬态电压抑制器

功能特点

产品名称:保护瞬态电压抑制器


产品型号:3.0SMCJ85


产品参数:


Power Dissipation功耗:Ppp:3000W


Reverse Stand-off Voltage反向电压:VRWM:85V


Breakdown Voltage击穿电压:VBR@IT:Min:94.4V Max:119.2V


Test Current:IT:1mA


Reverse Leakage反向漏:IR@VRWM:UNI:3μA,


Max. Clamp Voltage 10/1000μs最大钳电压Vc@Ipp:151V


Peak Pulse Current 10/1000μs 脉冲电流峰值Ipp:19.8A



封装:SMC/DO-214AB



3.0SMCJ85规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称强茂(PANJIT)
零件包装代码DO-214AB
包装说明R-PDSO-C2
针数2
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
其他特性LOW INDUCTANCE, UL RECOGNIZED
最大击穿电压119.2 V
最小击穿电压94.4 V
击穿电压标称值106.8 V
最大钳位电压151 V
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码DO-214AB
JESD-30 代码R-PDSO-C2
最大非重复峰值反向功率耗散3000 W
元件数量1
端子数量2
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性UNIDIRECTIONAL
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压85 V
表面贴装YES
技术AVALANCHE
端子形式C BEND
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

3.0SMCJ85文档预览

下载PDF文档
3.0SMCJ SERIES
SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR PEAK PULSE POWER 3000 Watts
STAND-OFF VOLTAGE
5.0 to 220 Volts
Recongnized File # E210467
FEATURES
0.245(6.22)
0.280(7.11)
0.260(6.60)
0.012(0.305)
0.006(0.152)
0.103(2.62)
0.079(2.00)
0.008(0.203)
0.002(0.051)
0.128(3.25)
• For surface mounted applications in order to optimize board space
• Low profile package
• Built-in strain relief
• Glass passivated junction
• Low inductance
• Typical I
D
less than 1.0µA above 10V
• Plastic package has Underwriters Laboratory Flammability
Classification 94V-O
• High temperature soldering : 260°C /10 seconds at terminals
• Lead free in comply with EU RoHS 2002/95/EC directives
MECHANICALDATA
• Case: JEDEC DO-214AB,Molded plastic over passivated junction.
• Terminals: Solder plated,solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• Polarity: Color band denotes positive end (cathode)
• Standard Packaging:16mm tape (EIA-481)
• Weight: 0.008 ounce, 0.23 gram
0.050(1.27)
0.030(0.76)
0.320(8.13)
0.305(7.75)
DEVICES FOR BIPOLAR APPLICATIONS
For Bidirectional use C or CA Suffix for types 3.0SMCJ5.0 thru types 3.0SMCJ220.
Electrical characteristics apply in both directions.
MAXIMUM RATINGS AND CHARACTERISTICS
Rating at 25°Cambient temperature unless otherwise specified. Resistive or inductive load, 60Hz.
For Capacitive load derate current by 20%.
Rating
Peak Pulse Power Dissipation on 10/1000u
μ
waveform (Notes 1,2, Fig.1)
Peak Forward Surge Current 8.3ms single half sine-wave
superimposed on rated load (JEDEC Method) (Notes 2,3)
Peak Pulse Current on 10/1000
μ
s waveform(Note 1)Fig.3
Typical Thermal Resistance Junction to Air
Operating Junction and Storage Temperature Range
Symbol
P
PPM
I
FSM
I
PPM
R
θ
JA
T
J
,T
STG
0.108(2.75)
Value
3000
200
see Table 1
25
-55 to +150
0.220(5.59)
Units
Watts
Amps
Amps
O
C/W
O
C
NOTES:
1.Non-repetitive current pulse, per Fig. 3 and derated above T
A
=25°Cper
Fig. 2.
2.Mounted on 8.0mm
2
( .013mm thick) land areas.
3.Measured on 8.3ms , single half sine-wave or equivalent square wave , duty cycle= 4 pulses per minutes maximum.
October 26,2011-REV.07
PAGE . 1
多参加eeworld的活动是很棒的!
暑假参加LaunchPad的培训课程,不仅学到了很多东西!还意外收到了铁电开发板!以后要多参加一些有意义的活动!...
zhuzhiyong 微控制器 MCU
IQ解调中IQ两路增益失配以及相位失配如何测出
诸位同仁好! 在做IQ解调这方面研究,想要找出测量IQ增益失配和相位失配的方法,可以是软件模拟仿真等等。如若有人不吝赐教,不胜感激~~~ :) ...
我打这里走过 无线连接
低电压测量中常见的误差来源分析
热电电压(热电动势)是低电压测量中最常见的误差来源。当电路的不同部分处在不同的温度之下,或者当不同材料的导体互相接触时,通常就会产生这种热电电压,如图1所示。各种材料相对于铜的赛贝 ......
fish001 模拟与混合信号
MSP430串口调试全记录
先交代一下相关背景: Mcu型号:MS9430F149; 实验板:自制(有些毛病,稍后坦白:) 开发环境:IAR Embedded Workbench V2.10A+串口调试助手; 试验仪器:泰克数字示波器,万用表等; 笔者 ......
tiankai001 微控制器 MCU
CE 6.0下的C++数据库操作菜鸟级问题~请指教
请问CE6.0上~sql ce3.0以上的版本,使用C++语言如何对数据库进行操作。我用EVC在4.2和5.0用的都是ADOCE。那么6.0上应该用什么呢? 谢谢...
hideseen 嵌入式系统
EVC CVOImage问题
用CVOImage,在模拟器上可以显示PNG图片,但一到pocket pc上,就不能正常显示......
hxjd 嵌入式系统
小广播

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved