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TK55D10J1(Q)

产品描述MOSFET N-CH 100V 55A TO220W
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小173KB,共6页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
标准
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TK55D10J1(Q)概述

MOSFET N-CH 100V 55A TO220W

TK55D10J1(Q)规格参数

参数名称属性值
FET 类型N 沟道
技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)100V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)55A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)10.5 毫欧 @ 27A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)2.3V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)110nC @ 10V
Vgs(最大值)±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)5700pF @ 10V
功率耗散(最大值)140W(Tc)
工作温度150°C(TJ)
安装类型通孔
供应商器件封装TO-220(W)
封装/外壳TO-220-3
求解答 本人急需这个设计 求人解答
谢谢!...
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